EMD9T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 7.89 грн |
| 16000+ | 6.99 грн |
| 24000+ | 6.68 грн |
| 40000+ | 5.94 грн |
| 56000+ | 5.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD9T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD9T2R за ціною від 8.53 грн до 40.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EMD9T2R | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD9T2R | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD9T2R | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD9T2R | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EMD9T2R | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 69561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| EMD9-T2R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| EMD9 T2R | ROHM | SOT663 |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EMD9T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 9.82 грн |
| EMD9T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 9.82 грн |
| EMD9T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1226+ | 11.62 грн |
| 1267+ | 11.24 грн |
| 2500+ | 10.91 грн |
| EMD9T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 480+ | 29.70 грн |
| 762+ | 18.69 грн |
| 1024+ | 13.91 грн |
| 1230+ | 11.17 грн |
| 2000+ | 8.53 грн |
| EMD9T2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 69561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.88 грн |
| 13+ | 23.92 грн |
| 100+ | 15.21 грн |
| 500+ | 10.74 грн |
| 1000+ | 9.59 грн |
| 2000+ | 8.63 грн |



