EMD9T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 7615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.59 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 100+ | 15.17 грн |
| 500+ | 10.70 грн |
| 1000+ | 9.56 грн |
| 2000+ | 8.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD9T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD9T2R за ціною від 6.40 грн до 42.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMD9T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP/NPN 50V 70MA |
на замовлення 7996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMD9-T2R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| EMD9T2R | Виробник : ROHM |
SOT363 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMD9 T2R | Виробник : ROHM | SOT663 |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMD9T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
EMD9T2R Complementary transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
EMD9T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |