
ES1J Yageo

Код товару: 213795
Виробник: YageoКорпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
у наявності 600 шт:
600 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 3.00 грн |
10+ | 2.58 грн |
100+ | 2.20 грн |
1000+ | 1.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни ES1J Yageo
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES1J Код товару: 3349
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : YJ/TSC/HOTTECH |
![]() Корпус: SMA/DO-214AC Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns |
у наявності: 2329 шт
1723 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Львів 150 шт - РАДІОМАГ-Харків 43 шт - РАДІОМАГ-Одеса 113 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції ES1J за ціною від 0.77 грн до 35.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES1J Код товару: 3349
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : YJ/TSC/HOTTECH |
![]() Корпус: SMA/DO-214AC Vrr, V: 600 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns |
у наявності: 2329 шт
1723 шт - склад
300 шт - РАДІОМАГ-Львів 150 шт - РАДІОМАГ-Харків 43 шт - РАДІОМАГ-Одеса 113 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YAGEO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 20060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : MDD |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ES1x productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 23079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5467500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 41237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 157500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 382500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 157500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 382500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 757500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 98855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 20810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ES1x productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 23079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YAGEO |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YAGEO |
![]() |
на замовлення 14627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YAGEO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 20060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 144175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 109527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 15092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5468120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ifsm: 30A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: superfast switching |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.47W |
на замовлення 6971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: superfast switching |
на замовлення 19880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 73966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 14751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 11287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.47W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6971 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ifsm: 30A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: superfast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 144175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 7730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: superfast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : MIC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : HOTTECH |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 650 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 5909 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : YY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : EIC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Ningbo KLS electronic co.,ltd |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 100984 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Kingtronics International Company |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 569 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES1J |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 5095 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Yageo |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
ES1J | Виробник : YAGEO |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: superfast switching |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Rectron |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
ES1J | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : YAGEO |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1J | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |