Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP2532

FDP2532

FDP2532-D.PDF
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-263AB
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 79 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,016 Ом
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541210090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP2532 за ціною від 148.46 грн до 423.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP2532 FDP2532 ON-Semiconductor TFDP2532_2533.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+200.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 9504 шт:
термін постачання 395-404 дні (днів)
1+423.19 грн
10+273.33 грн
100+177.71 грн
500+148.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ONSEMI ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 TFDP2532_2533.pdf
FDP2532
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+200.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532-D.PDF
FDP2532
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 9504 шт:
термін постачання 395-404 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.19 грн
10+273.33 грн
100+177.71 грн
500+148.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP2532
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Код товару: 196843
Додати до обраних Обраний товар
AH_20160101-Hitano-datasheet.pdf
2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
Номінал, Ом: 2 Ом
Точність, %: ±5%
Потужність, Вт: 50 Вт
Габарити, мм: 50x29x15,5 мм
Тип: дротяний з радіатором
у наявності: 58 шт
  • 52 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+150.00 грн
10+135.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250H(D4,F)
Код товару: 170247
Додати до обраних Обраний товар
docget.jsp?did=13872&prodName=TLP250H
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Код товару: 72179
Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 25 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 7030 шт
  • 6030 шт - склад
  • 1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.60 грн
100+1.30 грн
10000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,5W вив. (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Код товару: 54996
2 Додати до обраних Обраний товар
FMF-MFR_120622ds.pdf
10 Ohm 5% 0,5W вив. (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 10 Ом
Точність: ±5%, ±100ppm
Потужність: 0,5 Вт
U, роб.: 200 В
Габарити: 3,2x1,5 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
у наявності: 1913 шт
  • 1730 шт - склад
  • 113 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 70 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1198 шт
  • 1198 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.98 грн
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 33207
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 10 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном.: 1 Вт
U роб.: 500 В
Габарити: 9х3 мм; Dвив=0,64 мм
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°С
у наявності: 53 шт
  • 53 шт - склад
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 15.12.2026
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
100+1.50 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.