Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP2532

FDP2532

FDP2532-D.PDF
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP2532 за ціною від 102.33 грн до 380.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ON-Semiconductor TFDP2532_2533.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+203.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.09 грн
10+169.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.36 грн
10+158.78 грн
100+130.47 грн
500+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
50+156.84 грн
100+142.66 грн
500+110.58 грн
1000+103.09 грн
2000+102.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 onsemi FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.95 грн
10+246.11 грн
100+159.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 fdp2532-d.pdf
FDP2532
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
177+200.81 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 TFDP2532_2533.pdf
FDP2532
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+203.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDX2532-DTE.pdf
FDP2532
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+229.09 грн
10+169.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532-D.PDF
FDP2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+292.36 грн
10+158.78 грн
100+130.47 грн
500+115.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532-D.PDF
FDP2532
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+315.31 грн
50+156.84 грн
100+142.66 грн
500+110.58 грн
1000+103.09 грн
2000+102.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532-D.PDF
FDP2532
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+380.95 грн
10+246.11 грн
100+159.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 fdp2532-d.pdf
FDP2532
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 fdp2532-d.pdf
FDP2532
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Код товару: 196843
Додати до обраних Обраний товар
AH_20160101-Hitano-datasheet.pdf
2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
Номінал, Ом: 2 Ohm
Точність, %: ±5%
Потужність, W: 50 W
Габарити, mm: 50x29x15,5 mm
Тип: дротяний з радіатором
у наявності: 77 шт
  • 68 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+150.00 грн
10+135.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250H(D4,F)
Код товару: 170247
Додати до обраних Обраний товар
docget.jsp?did=13872&prodName=TLP250H
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Код товару: 72179
Додати до обраних Обраний товар
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 7682 шт
  • 7680 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
20+1.60 грн
100+1.30 грн
10000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 0,5W вив. (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Код товару: 54996
2 Додати до обраних Обраний товар
FMF-MFR_120622ds.pdf
10 Ohm 5% 0,5W вив. (MFR050SSJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%, ±100ppm
Потужність, W: 0,5 W
U робоча, V: 200 V
Габарити: 3,2x1,5 mm; Dвив = 0,45 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
у наявності: 1763 шт
  • 1560 шт - склад
  • 113 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
20+1.20 грн
100+0.98 грн
1000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-10R-Hitano)
Код товару: 33207
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-10R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 10 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U роб., V: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив=0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 58 шт
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується
КількістьЦіна
10+2.00 грн
100+1.50 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.