Інші пропозиції FDP2532 за ціною від 102.33 грн до 380.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP2532 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP2532 | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP2532 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Technology: PowerTrench® Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 56A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 310W Drain-source voltage: 150V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP2532 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench |
на замовлення 3892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP2532 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
на замовлення 2186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP2532 | onsemi |
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP2532 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDP2532 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 177+ | 200.81 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.99 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.09 грн |
| 10+ | 169.52 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.36 грн |
| 10+ | 158.78 грн |
| 100+ | 130.47 грн |
| 500+ | 115.98 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 315.31 грн |
| 50+ | 156.84 грн |
| 100+ | 142.66 грн |
| 500+ | 110.58 грн |
| 1000+ | 103.09 грн |
| 2000+ | 102.33 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.95 грн |
| 10+ | 246.11 грн |
| 100+ | 159.47 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 2 Ohm 50W 5% (AH50WJ-2R) Код товару: 196843
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 50 W
Габарити: 50x29x15,5 mm
Тип: дротяний з радіатором
Вивідні резистори > Резистори в алюмінієвому корпусі 10-600W
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 50 W
Габарити: 50x29x15,5 mm
Тип: дротяний з радіатором
у наявності: 77 шт
- 68 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 150.00 грн |
| 10+ | 135.00 грн |
| TLP250H(D4,F) Код товару: 170247
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 100nF 25V X7R 10% 0603 (CL10B104KA8NNNC-Samsung) Код товару: 72179
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 100 nF
Номін. напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0603
у наявності: 7682 шт
- 7680 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 10000+ | 1.10 грн |
| 10 Ohm 5% 0,5W вив. (MFR050SSJTB-10R-Hitano) Код товару: 54996
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%, ±100ppm
Потужність, W: 0,5 W
U робоча, V: 200 V
Габарити: 3,2x1,5 mm; Dвив = 0,45 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%, ±100ppm
Потужність, W: 0,5 W
U робоча, V: 200 V
Габарити: 3,2x1,5 mm; Dвив = 0,45 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
у наявності: 1763 шт
- 1560 шт - склад
- 113 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.98 грн |
| 1000+ | 0.84 грн |
| 10 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-10R-Hitano) Код товару: 33207
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 10 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U роб., V: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив=0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 10 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U роб., V: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив=0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 58 шт
- 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 2000 шт
- 2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |








