на замовлення 5954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 262.69 грн |
| 10+ | 213.42 грн |
| 50+ | 184.93 грн |
| 100+ | 153.14 грн |
| 250+ | 150.54 грн |
| 500+ | 138.21 грн |
| 800+ | 127.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2532 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Інші пропозиції FDP2532 за ціною від 116.68 грн до 276.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP2532 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP2532 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
FDP2532 Код товару: 44129 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-263AB Uds,V: 150 V Idd,A: 79 A Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
FDP2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDP2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDP2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP2532 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP2532 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP2532 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDP2532 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 107nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |