Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP2532
FDP2532

FDP2532 ON Semiconductor

fdi2532.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP2532 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDP2532 за ціною від 109.29 грн до 321.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP2532 FDP2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+237.42 грн
10+211.95 грн
50+197.13 грн
100+165.38 грн
500+138.65 грн
800+109.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+254.69 грн
54+227.37 грн
58+211.48 грн
100+177.42 грн
500+148.74 грн
800+117.24 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAEF9EF4A52251BF&compId=FDX2532-DTE.pdf?ci_sign=ca84b16cf8e55477890456458d5f303edc78ec17 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.65 грн
6+176.07 грн
15+166.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+271.88 грн
10+229.18 грн
50+212.30 грн
100+157.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+292.80 грн
50+246.81 грн
54+228.63 грн
100+170.06 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : onsemi FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.29 грн
50+172.24 грн
100+156.67 грн
500+121.44 грн
1000+115.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.59 грн
10+169.30 грн
100+166.76 грн
500+153.28 грн
1000+139.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAEF9EF4A52251BF&compId=FDX2532-DTE.pdf?ci_sign=ca84b16cf8e55477890456458d5f303edc78ec17 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.78 грн
6+219.42 грн
15+199.97 грн
500+192.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.34 грн
10+261.21 грн
50+160.73 грн
100+146.39 грн
500+123.00 грн
1000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 Виробник : ON-Semicoductor FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532
Код товару: 44129
Додати до обраних Обраний товар

FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 Виробник : ON Semiconductor fdp2532-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.