Продукція > ONSEMI > FDS6680A
FDS6680A

FDS6680A onsemi

fds6680a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6680A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 15.08 грн до 104.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
731+43.34 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 731
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.42 грн
50+63.36 грн
100+47.92 грн
500+35.76 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6680A-D.PDF MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.27 грн
10+63.95 грн
100+40.74 грн
500+32.35 грн
1000+29.27 грн
2500+25.79 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.39 грн
10+63.61 грн
100+42.27 грн
500+31.06 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A Виробник : Fairchild fds6680a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A Виробник : ONSEMI fds6680a-d.pdf FDS6680A SMD N channel transistors
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.07 грн
27+43.41 грн
75+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A Виробник : FSC
на замовлення 11982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A Виробник : FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.