Продукція > FAIRCHILD > FDS6680A
FDS6680A

FDS6680A Fairchild

info-tfds6680a.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 45 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6680A Fairchild

Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 17.49 грн до 116.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6680A FDS6680A UMW 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.47 грн
5000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.93 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A UMW 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.21 грн
10+43.17 грн
50+31.74 грн
100+26.34 грн
500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.38 грн
8+60.11 грн
10+52.89 грн
25+44.66 грн
26+37.36 грн
72+35.32 грн
250+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.84 грн
12+68.04 грн
50+67.36 грн
100+54.93 грн
500+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.50 грн
10+66.40 грн
50+49.56 грн
100+41.40 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.28 грн
11+74.29 грн
25+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+116.74 грн
10+54.42 грн
100+46.72 грн
500+37.99 грн
1000+33.63 грн
2500+29.12 грн
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680ad.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf
FDS6680A
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.47 грн
5000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.93 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf
FDS6680A
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.21 грн
10+43.17 грн
50+31.74 грн
100+26.34 грн
500+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.38 грн
8+60.11 грн
10+52.89 грн
25+44.66 грн
26+37.36 грн
72+35.32 грн
250+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.84 грн
12+68.04 грн
50+67.36 грн
100+54.93 грн
500+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.50 грн
10+66.40 грн
50+49.56 грн
100+41.40 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+110.28 грн
11+74.29 грн
25+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf 01eca427f9614f0ea709fb01095a0157.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.74 грн
10+54.42 грн
100+46.72 грн
500+37.99 грн
1000+33.63 грн
2500+29.12 грн
5000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680ad.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A
Виробник: FSC
09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.