Продукція > FAIRCHILD > FDS6680A
FDS6680A

FDS6680A Fairchild

info-tfds6680a.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6680A Fairchild

Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 29.69 грн до 107.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.32 грн
195+72.58 грн
284+49.81 грн
287+47.55 грн
500+34.72 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.50 грн
9+49.58 грн
10+43.36 грн
25+37.14 грн
50+33.50 грн
100+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.61 грн
100+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
50+65.98 грн
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.81 грн
11+73.32 грн
25+72.58 грн
100+48.03 грн
250+44.03 грн
500+33.33 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi / Fairchild FDS6680A-D.PDF MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.32 грн
195+72.58 грн
284+49.81 грн
287+47.55 грн
500+34.72 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.50 грн
9+49.58 грн
10+43.36 грн
25+37.14 грн
50+33.50 грн
100+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+62.61 грн
100+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.08 грн
50+65.98 грн
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+107.81 грн
11+73.32 грн
25+72.58 грн
100+48.03 грн
250+44.03 грн
500+33.33 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A-D.PDF
FDS6680A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A
Виробник: FSC
09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.