Продукція > FAIRCHILD > FDS6680A
FDS6680A

FDS6680A Fairchild

info-tfds6680a.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 45 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6680A Fairchild

Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 22.13 грн до 113.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+48.80 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.97 грн
195+73.23 грн
284+50.26 грн
287+47.98 грн
500+35.03 грн
1000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi / Fairchild FDS6680A-D.PDF MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+84.57 грн
10+59.25 грн
100+37.75 грн
500+29.98 грн
1000+27.12 грн
2500+23.89 грн
5000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.29 грн
9+49.46 грн
10+43.26 грн
25+37.05 грн
50+33.42 грн
100+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.77 грн
11+73.97 грн
25+73.23 грн
100+48.46 грн
250+44.42 грн
500+33.63 грн
1000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+113.73 грн
10+53.02 грн
100+45.52 грн
500+37.01 грн
1000+32.76 грн
2500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
731+48.80 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.97 грн
195+73.23 грн
284+50.26 грн
287+47.98 грн
500+35.03 грн
1000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A-D.PDF
FDS6680A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.57 грн
10+59.25 грн
100+37.75 грн
500+29.98 грн
1000+27.12 грн
2500+23.89 грн
5000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.29 грн
9+49.46 грн
10+43.26 грн
25+37.05 грн
50+33.42 грн
100+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.77 грн
11+73.97 грн
25+73.23 грн
100+48.46 грн
250+44.42 грн
500+33.63 грн
1000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A
FDS6680A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.73 грн
10+53.02 грн
100+45.52 грн
500+37.01 грн
1000+32.76 грн
2500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A
Виробник: FSC
09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.