Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS6680A Fairchild
FDS6680A

FDS6680A Fairchild

fds6680a-d.pdf
Код товару: 31312
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 11,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2070/19
Примітка: -
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 15.40 грн до 107.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6680A FDS6680A Fairchild info-tfds6680a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.32 грн
195+72.58 грн
284+49.81 грн
287+47.55 грн
500+34.72 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI FDS6680A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.50 грн
9+49.58 грн
10+43.36 грн
25+37.14 грн
50+33.50 грн
100+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.61 грн
100+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
50+65.98 грн
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.81 грн
11+73.32 грн
25+72.58 грн
100+48.03 грн
250+44.03 грн
500+33.33 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi fds6680a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A onsemi / Fairchild FDS6680A-D.PDF MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A info-tfds6680a.pdf
FDS6680A
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.32 грн
195+72.58 грн
284+49.81 грн
287+47.55 грн
500+34.72 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.50 грн
9+49.58 грн
10+43.36 грн
25+37.14 грн
50+33.50 грн
100+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+62.61 грн
100+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.08 грн
50+65.98 грн
100+47.41 грн
500+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+107.81 грн
11+73.32 грн
25+72.58 грн
100+48.03 грн
250+44.03 грн
500+33.33 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A fds6680a-d.pdf
FDS6680A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A-D.PDF
FDS6680A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A
Виробник: FSC
09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Програматор USBASP AVR V2.0.
Код товару: 46535
6 Додати до обраних Обраний товар
description
Програматор USBASP AVR V2.0.
Виробник: Coolbass
Модульні елементи > Програматори, засоби налагодження
Опис: Програматор AVR, напруга живлення 5В, інтерфейс ПК: USB, інтерфейс програматора: ISP
Тип засобів розробки: Програматор AVR
у наявності: 70 шт
  • 56 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+150.00 грн
10+133.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Сплав Розе, 25 г, темп. плавлення = 94 °С
Код товару: 42528
7 Додати до обраних Обраний товар
Сплав Розе, 25 г, темп. плавлення = 94 °С
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій без флюса
Опис: Сплав Розе, 25 г, Тпл = 94 °C
Вага/Обʼєм/К-сть: 25 г
Склад сплаву: Bi50Pb25Sn25
Температура плавлення: 94°С
Вид припою: Свинцевий
у наявності: 31 шт
  • 11 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 103 шт
  • 103 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+70.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 425VAC ±5% 36x58mm + болт, з клемами 6.3mm (4.16.10.15.64) Ducati (конденсатор пусковий)
Код товару: 36507
2 Додати до обраних Обраний товар
4_16_10.pdf
10uF 425VAC ±5% 36x58mm + болт, з клемами 6.3mm (4.16.10.15.64) Ducati (конденсатор пусковий)
Виробник: Ducati
Конденсатори > Пускові конденсатори
Ємність: 10 µF
Напруга: 425 VAC
Точність: ±5%
Вид з’єднання: На клемах
Діаметр/Ширина: O36 mm
Висота: 58 mm
товару немає в наявності
очікується: 60 шт
  • 60 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+101.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1,87 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K87-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27688
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
1,87 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-1K87-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1,87 kOhm
Точність: ±1% F
Pном, W: 0,125 W
Uроб, V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 4330 шт
  • 4100 шт - склад
  • 230 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.30 грн
1000+0.22 грн
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOYUE 900M-T-2CM (жало для паяльника)
Код товару: 18032
3 Додати до обраних Обраний товар
Tips.pdf
AOYUE 900M-T-2CM (жало для паяльника)AOYUE 900M-T-2CM (жало для паяльника)
AOYUE 900M-T-2CM (жало для паяльника)AOYUE 900M-T-2CM (жало для паяльника)
Виробник: AOYUE
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Насадки, жала
Категорія: Жало (насадка) для паяльника на паяльних станціях
Опис: Жало, односторонній зріз (45°, 17 мм, діаметр зрізу 2 мм), мініхвиля
Тип жала: 900M-T
Форма жала: Міні-хвиля
Розмір кінчика жала: 2 мм
8515 90 00 00
у наявності: 27 шт
  • 4 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується 21.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+109.00 грн
10+102.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.