FDS6680A

FDS6680A Fairchild


fds6680a-d.pdf
Код товару: 31312
Виробник: Fairchild
Uds,V: 30 V
Idd,A: 11,5 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2070/19
Монтаж: SMD
у наявності 34 шт:

10 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 14.98 грн до 76.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.56 грн
5000+23.41 грн
7500+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
731+41.63 грн
1000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 731
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.29 грн
500+35.32 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9F23177BA2259&compId=FDS6680A.pdf?ci_sign=429ba1fe99e3780a14c86495b7e401c1bc4bb04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.75 грн
10+49.54 грн
27+33.64 грн
74+31.80 грн
500+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi fds6680a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+51.60 грн
100+38.05 грн
500+29.99 грн
1000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.72 грн
50+54.58 грн
100+44.29 грн
500+35.32 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9F23177BA2259&compId=FDS6680A.pdf?ci_sign=429ba1fe99e3780a14c86495b7e401c1bc4bb04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.10 грн
10+61.73 грн
27+40.36 грн
74+38.16 грн
500+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : onsemi / Fairchild fds6680a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.46 грн
10+59.84 грн
25+48.22 грн
100+39.70 грн
250+37.65 грн
500+31.41 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A Виробник : Fairchild fds6680a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A Виробник : FSC
на замовлення 11982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680/A Виробник : FSC 09+ SO-8
на замовлення 12982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680A FDS6680A Виробник : ON Semiconductor fds6680a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Riston 215 (фоторезист сухий, негатив)
Код товару: 27020
Додати до обраних Обраний товар

Riston 215 (фоторезист сухий, негатив)
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Опис: Фоторезист сухий має високу роздільну здатністю
у наявності: 57 м
57 м - склад
Кількість Ціна
1+93.50 грн
10+83.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Клемник 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Код товару: 19767
Додати до обраних Обраний товар

15edgk.pdf
Клемник 15EDGK-3.5-02P-14-00Z(H)
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Прямий клемник, крок: 3,5мм, к-сть контактів: 02P, напруга/струм: 300V/8A, під провід: 28-16AWG 1,5мм.кв
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 2
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
у наявності: 5620 шт
4798 шт - склад
227 шт - РАДІОМАГ-Київ
143 шт - РАДІОМАГ-Львів
167 шт - РАДІОМАГ-Харків
222 шт - РАДІОМАГ-Одеса
63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
8000 шт - очікується
Кількість Ціна
2+8.50 грн
10+7.70 грн
100+6.90 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Код товару: 16340
Додати до обраних Обраний товар

ClassII_070726.pdf
470pF 500V Y5P K(+/-10%) (HB2H471K-L515B-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 500 V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB2H471K-L515B
у наявності: 110 шт
110 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2902
Додати до обраних Обраний товар

multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
470pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N471J1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N471J1HL-2L
у наявності: 2914 шт
2471 шт - склад
159 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
112 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.80 грн
100+2.40 грн
1000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Код товару: 2459
Додати до обраних Обраний товар

ClassII_070726.pdf
470pF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A471K-L516B-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HB3A471K-L516B
у наявності: 3710 шт
3282 шт - склад
210 шт - РАДІОМАГ-Київ
121 шт - РАДІОМАГ-Львів
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.70 грн
100+1.40 грн
1000+1.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.