FDV303N Fairchild
Код товару: 46231
Виробник: FairchildКорпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 128 шт:
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.18 грн до 30.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 2241000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 462000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1413000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 462000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1413000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 14176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 75937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
на замовлення 2241149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch Digital |
на замовлення 157806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 75937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| FDV303N | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| FDV303N | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303nкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 241 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| FDV303N | Виробник : VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n cкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
FDV303N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRLML6346TRPBF Код товару: 48281
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2044 шт
1640 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 4.00 грн |
| 13+ | 3.20 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| IRLML2402TRPBF Код товару: 1173
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7223 шт
6805 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
187 шт - РАДІОМАГ-Харків
49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
187 шт - РАДІОМАГ-Харків
49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 3.50 грн |
| 14+ | 2.90 грн |
| 100+ | 2.50 грн |
| IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 7275 шт
7022 шт - склад
98 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
98 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.20 грн |
| 1000+ | 7.50 грн |
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10108 шт
7990 шт - склад
1087 шт - РАДІОМАГ-Київ
470 шт - РАДІОМАГ-Львів
561 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1087 шт - РАДІОМАГ-Київ
470 шт - РАДІОМАГ-Львів
561 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| IRLML6344TRPBF Код товару: 42697
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1506 шт
803 шт - склад
76 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
230 шт - РАДІОМАГ-Харків
218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
76 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
230 шт - РАДІОМАГ-Харків
218 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 4.00 грн |
| 12+ | 3.50 грн |
| 100+ | 2.90 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |






