Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDV303N Fairchild
FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Виробник: Fairchild
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 227 шт:
7 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
70 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.33 грн до 27.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6865+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 6865
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.49 грн
6000+4.24 грн
12000+3.86 грн
18000+3.69 грн
30000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.84 грн
6000+4.56 грн
12000+4.16 грн
18000+3.97 грн
30000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 219078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.94 грн
6000+4.40 грн
9000+3.82 грн
15000+3.55 грн
21000+3.54 грн
30000+3.39 грн
75000+3.11 грн
150000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 242000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.04 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.29 грн
6000+4.88 грн
9000+4.85 грн
12000+4.58 грн
27000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1610+7.58 грн
1626+7.51 грн
1707+7.15 грн
1964+5.99 грн
3000+5.15 грн
6000+4.57 грн
15000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 1610
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 123786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.73 грн
500+7.46 грн
1500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.16 грн
36+10.65 грн
55+7.08 грн
100+6.00 грн
246+3.75 грн
676+3.55 грн
2500+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi / Fairchild FDV303N_D-2313323.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 248797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.14 грн
27+12.86 грн
100+5.74 грн
1000+5.22 грн
3000+3.97 грн
9000+3.46 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.79 грн
22+13.27 грн
50+8.50 грн
100+7.20 грн
246+4.50 грн
676+4.26 грн
2500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+22.87 грн
42+14.58 грн
100+6.79 грн
250+6.22 грн
500+5.69 грн
1000+4.95 грн
3000+4.59 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 219137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.79 грн
100+7.07 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 123786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.89 грн
50+17.17 грн
100+10.73 грн
500+7.46 грн
1500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : UMW fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : ON-Semicoductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 7098 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : ON-Semicoductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : VBsemi fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML6346TRPBF
Код товару: 48281
Додати до обраних Обраний товар

irlml6346pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
IRLML6346TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 676 шт
481 шт - склад
104 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.20 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173
Додати до обраних Обраний товар

irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10747 шт
10630 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
59 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
17 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
3+3.50 грн
10+2.90 грн
100+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF
Код товару: 25595
Додати до обраних Обраний товар

irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606
IRLML2502TRPBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3708 шт
2919 шт - склад
149 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Харків
162 шт - РАДІОМАГ-Одеса
160 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
1000+7.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 312 шт
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Одеса
92 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
Додати до обраних Обраний товар

irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6201 шт
5950 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.