Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDV303N Fairchild
FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 0,68 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,45 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності: 187 шт
  • 146 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.39 грн до 29.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5953+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 5953 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
6000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8523+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
6000+6.71 грн
12000+6.64 грн
27000+6.40 грн
51000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
23+13.00 грн
50+9.30 грн
100+7.60 грн
500+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 405637 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+23.46 грн
29+10.34 грн
100+7.90 грн
500+5.70 грн
1000+5.05 грн
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.74 грн
45+17.08 грн
62+12.36 грн
100+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.75 грн
42+18.31 грн
56+13.73 грн
100+10.83 грн
500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5953+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 5953 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.16 грн
6000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8523+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.78 грн
6000+6.71 грн
12000+6.64 грн
27000+6.40 грн
51000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
23+13.00 грн
50+9.30 грн
100+7.60 грн
500+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 405637 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.46 грн
29+10.34 грн
100+7.90 грн
500+5.70 грн
1000+5.05 грн
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.74 грн
45+17.08 грн
62+12.36 грн
100+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.75 грн
42+18.31 грн
56+13.73 грн
100+10.83 грн
500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 2304020.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS138
Код товару: 197212
Додати до обраних Обраний товар
BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 22890 шт
  • 21844 шт - склад
  • 430 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 269 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 347 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD55008-E
Код товару: 3647
Додати до обраних Обраний товар
PD55008.pdf
PD55008-E
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-10RF
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Примітка: 8W
Монтаж: SMD
у наявності: 178 шт
  • 81 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 87 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.00 грн
10+290.00 грн
100+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN
Код товару: 3064
1 Додати до обраних Обраний товар
bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1695 шт
  • 1175 шт - склад
  • 294 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 215 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 250 шт
  • 250 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C
Код товару: 3051
1 Додати до обраних Обраний товар
BC859,BC860.pdf
BC859C
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 30 В
Напруга Uкб, В: 30 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 900
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 84 шт
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 250 шт
  • 250 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2974
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9211 шт
  • 8516 шт - склад
  • 178 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 155 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 162 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 300 шт
  • 300 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.