Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDV303N Fairchild
FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 0,68 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,45 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності: 189 шт
  • 148 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.31 грн до 29.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N UMW TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8523+4.14 грн
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.29 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3172+4.45 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2673000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2673000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3113+4.53 грн
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+7.04 грн
12000+7.00 грн
27000+6.71 грн
51000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+9.38 грн
1725+8.18 грн
1977+7.14 грн
3283+4.15 грн
6000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+10.10 грн
1412+10.00 грн
1857+7.60 грн
2110+6.45 грн
3000+5.28 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 12311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.82 грн
35+12.16 грн
50+8.70 грн
100+7.55 грн
500+5.55 грн
1000+4.77 грн
1500+4.38 грн
3000+3.80 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 409321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.65 грн
23+12.96 грн
100+8.11 грн
500+5.61 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.74 грн
45+17.02 грн
47+16.34 грн
100+9.74 грн
250+8.93 грн
500+6.52 грн
1000+5.73 грн
3000+5.07 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.59 грн
45+17.00 грн
100+8.45 грн
500+7.37 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.60 грн
42+18.21 грн
100+9.39 грн
500+7.90 грн
1000+6.38 грн
3000+3.69 грн
6000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 175051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf
FDV303N
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8523+4.14 грн
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.29 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.45 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3172+4.45 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2673000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.53 грн
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2673000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3113+4.53 грн
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.11 грн
6000+7.04 грн
12000+7.00 грн
27000+6.71 грн
51000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1505+9.38 грн
1725+8.18 грн
1977+7.14 грн
3283+4.15 грн
6000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 1505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1397+10.10 грн
1412+10.00 грн
1857+7.60 грн
2110+6.45 грн
3000+5.28 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 12311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.82 грн
35+12.16 грн
50+8.70 грн
100+7.55 грн
500+5.55 грн
1000+4.77 грн
1500+4.38 грн
3000+3.80 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 409321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.65 грн
23+12.96 грн
100+8.11 грн
500+5.61 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.74 грн
45+17.02 грн
47+16.34 грн
100+9.74 грн
250+8.93 грн
500+6.52 грн
1000+5.73 грн
3000+5.07 грн
6000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+27.59 грн
45+17.00 грн
100+8.45 грн
500+7.37 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.60 грн
42+18.21 грн
100+9.39 грн
500+7.90 грн
1000+6.38 грн
3000+3.69 грн
6000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 175051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 2304020.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS138
Код товару: 197212
Додати до обраних Обраний товар
BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 8193 шт
  • 6718 шт - склад
  • 479 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 317 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 679 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD55008-E
Код товару: 3647
Додати до обраних Обраний товар
PD55008.pdf
PD55008-E
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-10RF
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Примітка: 8W
Монтаж: SMD
у наявності: 142 шт
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.00 грн
10+290.00 грн
100+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN
Код товару: 3064
1 Додати до обраних Обраний товар
bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1716 шт
  • 1295 шт - склад
  • 195 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 215 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C
Код товару: 3051
1 Додати до обраних Обраний товар
BC859,BC860.pdf
BC859C
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 30 В
Напруга Uкб, В: 30 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 900
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 57 шт
  • 57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2974
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 6x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 9947 шт
  • 9398 шт - склад
  • 187 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 174 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 178 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.