Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDV303N Fairchild
FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 189 шт:
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.32 грн до 28.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV303N FDV303N Виробник : ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : UMW TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8523+4.08 грн
10000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 8523
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3379+4.12 грн
6000+3.89 грн
12000+3.77 грн
27000+3.54 грн
51000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3379
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 459000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.20 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.85 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.85 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.73 грн
9000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1296+10.75 грн
1308+10.65 грн
1774+7.85 грн
2017+6.66 грн
3000+5.72 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 1296
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.85 грн
500+7.52 грн
1500+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 459267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.08 грн
24+12.70 грн
100+7.94 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 184085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.26 грн
24+13.64 грн
100+7.49 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
3000+3.75 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 8241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.38 грн
48+8.77 грн
60+7.02 грн
100+6.36 грн
500+4.99 грн
1000+4.24 грн
3000+3.45 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+26.31 грн
44+16.99 грн
45+16.80 грн
100+10.36 грн
250+9.51 грн
500+6.73 грн
1000+5.92 грн
3000+5.49 грн
6000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.09 грн
50+17.24 грн
100+10.85 грн
500+7.52 грн
1500+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONS/FAI FDV303N.pdf SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : ON Semiconductor FDV303N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 О
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS138
Код товару: 197212
Додати до обраних Обраний товар
BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 8770 шт
7124 шт - склад
630 шт - РАДІОМАГ-Київ
337 шт - РАДІОМАГ-Львів
679 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PD55008-E
Код товару: 3647
Додати до обраних Обраний товар
PD55008.pdf
PD55008-E
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-10RF
Uds,V: 40 V
Idd,A: 4 А
Монтаж: SMD
у наявності: 142 шт
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+350.00 грн
10+290.00 грн
100+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B (SOT-23, Diotec) транзистор біполярний NPN
Код товару: 3064
1 Додати до обраних Обраний товар
bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) транзистор біполярний NPN
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1721 шт
1300 шт - склад
195 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
215 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C
Код товару: 3051
1 Додати до обраних Обраний товар
BC859,BC860.pdf
BC859C
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 30 V
Uкб, В: 30 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 900
у наявності: 57 шт
57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2974
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 10714 шт
10165 шт - склад
187 шт - РАДІОМАГ-Київ
174 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
178 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.