FDV303N

FDV303N Fairchild


fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 128 шт:

87 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.23 грн до 31.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 367403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.47 грн
6000+4.76 грн
9000+4.49 грн
15000+3.94 грн
21000+3.78 грн
30000+3.62 грн
75000+3.21 грн
150000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+5.53 грн
10000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.67 грн
9000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.81 грн
6000+5.38 грн
9000+4.60 грн
15000+3.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1413000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.92 грн
6000+5.48 грн
9000+4.69 грн
15000+3.48 грн
150000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 462000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.22 грн
6000+5.76 грн
9000+4.93 грн
15000+3.66 грн
150000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1413000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.35 грн
6000+5.88 грн
9000+5.03 грн
15000+3.73 грн
150000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1526+8.36 грн
1571+8.12 грн
1790+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 1526
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1474+8.66 грн
1489+8.57 грн
1753+7.28 грн
1990+6.18 грн
3000+5.56 грн
6000+5.18 грн
15000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 1474
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.25 грн
48+8.69 грн
68+6.12 грн
100+5.26 грн
500+3.90 грн
1000+3.52 грн
1500+3.35 грн
3000+3.10 грн
6000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E08AD993A0FF1A303005056AB0C4F&compId=FDV303N.pdf?ci_sign=88cc801a301a7bf4624e67f601d940e550f21f85 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.90 грн
29+10.83 грн
50+7.34 грн
100+6.32 грн
500+4.68 грн
1000+4.22 грн
1500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.37 грн
102+8.73 грн
500+7.94 грн
1500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 367603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.55 грн
22+15.25 грн
100+9.56 грн
500+6.65 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+26.12 грн
44+16.59 грн
100+8.95 грн
250+8.20 грн
500+6.69 грн
1000+5.89 грн
3000+5.72 грн
6000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : onsemi / Fairchild FDV303N-D.PDF MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 157806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+27.65 грн
23+16.39 грн
100+7.79 грн
500+6.61 грн
1000+5.90 грн
3000+4.57 грн
6000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.29 грн
41+17.82 грн
100+8.37 грн
500+7.84 грн
1000+6.37 грн
3000+4.90 грн
6000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.67 грн
50+18.37 грн
102+8.73 грн
500+7.94 грн
1500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+31.41 грн
39+19.10 грн
100+8.97 грн
500+8.41 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : UMW fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : ON-Semiconductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : VBsemi fdv303n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N Виробник : ON-Semiconductor fdv303n-d.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N Виробник : ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML6346TRPBF
Код товару: 48281
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
IRLML6346TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1784 шт
1410 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+4.00 грн
13+3.20 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2402TRPBF
Код товару: 1173
Додати до обраних Обраний товар

irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6579 шт
6151 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
179 шт - РАДІОМАГ-Львів
177 шт - РАДІОМАГ-Харків
49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
12+3.50 грн
14+2.90 грн
100+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF
Код товару: 25595
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,2 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6604 шт
6356 шт - склад
93 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
75 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 10634 шт
7555 шт - склад
1075 шт - РАДІОМАГ-Київ
470 шт - РАДІОМАГ-Львів
1000 шт - РАДІОМАГ-Харків
534 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
Додати до обраних Обраний товар

irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
IRLML6344TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 247 шт
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
114 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 25.01.2026
Кількість Ціна
10+4.00 грн
12+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.