Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDV303N Fairchild
FDV303N

FDV303N Fairchild

fdv303n-108963-datasheet.pdf
Код товару: 46231
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 189 шт:
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDV303N за ціною від 2.36 грн до 26.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON-Semiconductor info-tfdv303n.pdf N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N UMW TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8523+4.14 грн
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.29 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
9000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
6000+6.77 грн
12000+6.73 грн
27000+6.46 грн
51000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N VBsemi info-tfdv303n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.93 грн
500+6.89 грн
1500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1296+10.89 грн
1308+10.79 грн
1774+7.96 грн
2017+6.75 грн
3000+5.80 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 433036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
24+12.95 грн
100+8.11 грн
500+5.61 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi fdv303n-d.pdf MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 183031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.56 грн
24+13.83 грн
100+7.60 грн
500+5.49 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI FDV303N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 18816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
48+8.89 грн
60+7.11 грн
100+6.44 грн
500+5.06 грн
1000+4.30 грн
3000+3.50 грн
6000+3.06 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N onsemi / Fairchild FDV303N-D.PDF MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 157806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.70 грн
23+14.64 грн
100+6.96 грн
500+5.91 грн
1000+5.27 грн
3000+4.08 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 4660963.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.68 грн
56+14.69 грн
100+9.93 грн
500+6.89 грн
1500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ON Semiconductor fdv303n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.66 грн
44+17.22 грн
45+17.03 грн
100+10.51 грн
250+9.63 грн
500+6.82 грн
1000+6.00 грн
3000+5.56 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N TFDV303n_UMW_UMW_0001.pdf
FDV303N
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8523+4.14 грн
10000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 8523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.29 грн
6000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.93 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.93 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 2304020.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.26 грн
9000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.84 грн
6000+6.77 грн
12000+6.73 грн
27000+6.46 грн
51000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N info-tfdv303n.pdf
FDV303N
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.93 грн
500+6.89 грн
1500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1296+10.89 грн
1308+10.79 грн
1774+7.96 грн
2017+6.75 грн
3000+5.80 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 433036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.36 грн
24+12.95 грн
100+8.11 грн
500+5.61 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 183031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.56 грн
24+13.83 грн
100+7.60 грн
500+5.49 грн
1000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 18816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+23.70 грн
48+8.89 грн
60+7.11 грн
100+6.44 грн
500+5.06 грн
1000+4.30 грн
3000+3.50 грн
6000+3.06 грн
9000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N-D.PDF
FDV303N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Digital
на замовлення 157806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.70 грн
23+14.64 грн
100+6.96 грн
500+5.91 грн
1000+5.27 грн
3000+4.08 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 4660963.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 54734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
32+25.68 грн
56+14.69 грн
100+9.93 грн
500+6.89 грн
1500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N fdv303n-d.pdf
FDV303N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+26.66 грн
44+17.22 грн
45+17.03 грн
100+10.51 грн
250+9.63 грн
500+6.82 грн
1000+6.00 грн
3000+5.56 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSS138
Код товару: 197212
Додати до обраних Обраний товар
BSS138_UMW _datasheet.pdf
BSS138
Виробник: UMW
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 8680 шт
7094 шт - склад
590 шт - РАДІОМАГ-Київ
317 шт - РАДІОМАГ-Львів
679 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
8+2.50 грн
11+1.90 грн
100+1.40 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PD55008-E
Код товару: 3647
Додати до обраних Обраний товар
PD55008.pdf
PD55008-E
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-10RF
Uds,V: 40 V
Idd,A: 4 А
Монтаж: SMD
у наявності: 142 шт
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
97 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+350.00 грн
10+290.00 грн
100+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC849B (SOT-23, Diotec) транзистор біполярний NPN
Код товару: 3064
1 Додати до обраних Обраний товар
bc846-datasheet.pdf
BC849B (SOT-23, Diotec) транзистор біполярний NPN
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1721 шт
1300 шт - склад
195 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
215 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C
Код товару: 3051
1 Додати до обраних Обраний товар
BC859,BC860.pdf
BC859C
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 30 V
Uкб, В: 30 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 900
у наявності: 57 шт
57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.90 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2974
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 10V ECR 6x11mm (ECR221M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 10680 шт
10131 шт - склад
187 шт - РАДІОМАГ-Київ
174 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
178 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.