Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції GT20J341
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GT20J341 | Toshiba | IGBTs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
GT20J341,S4X(S | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP Collector current: 11A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 45W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 80A Transistor: IGBT Turn-on time: 0.2µs Kind of package: tube Case: TO220FP Turn-off time: 370ns Gate-emitter voltage: ±25V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GT20J341,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Collector current: 11A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 45W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Transistor: IGBT
Turn-on time: 0.2µs
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±25V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 11A; 45W; TO220FP
Collector current: 11A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 45W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Transistor: IGBT
Turn-on time: 0.2µs
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Turn-off time: 370ns
Gate-emitter voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



