Продукція > TOSHIBA > GT40QR21(STA1,E,D
GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92A908EA940BE0D3&compId=GT40QR21.pdf?ci_sign=57cbfd5d6f446f8bf4ab116348eb16851092c8ef Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Mounting: THT
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+370.97 грн
25+204.13 грн
100+168.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA

Description: IGBT 1200V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 290µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції GT40QR21(STA1,E,D за ціною від 141.62 грн до 445.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21 Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.94 грн
25+209.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Виробник : Toshiba 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.38 грн
10+232.40 грн
100+197.50 грн
500+141.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92A908EA940BE0D3&compId=GT40QR21.pdf?ci_sign=57cbfd5d6f446f8bf4ab116348eb16851092c8ef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Mounting: THT
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Collector current: 35A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.16 грн
25+254.38 грн
100+201.90 грн
500+191.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D) Виробник : TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Виробник : Toshiba 342gt40qr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Виробник : Toshiba 342gt40qr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.