GT40QR21(STA1,E,D Toshiba
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.94 грн |
| 10+ | 208.27 грн |
| 100+ | 176.98 грн |
| 500+ | 126.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40QR21(STA1,E,D Toshiba
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 290µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT40QR21(STA1,E,D за ціною від 173.40 грн до 377.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1200V 40A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 600 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P(N) Switching Energy: -, 290µJ (off) Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 35A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| GT40QR21(STA1,E,D) | Виробник : TOSHIBA |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |