Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > GT40QR21(STA1,E,D
GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.19 грн
25+200.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage

Description: IGBT 1200V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 290µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 230 W.

Інші пропозиції GT40QR21(STA1,E,D за ціною від 143.46 грн до 408.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA GT40QR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Collector current: 35A
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Power dissipation: 230W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 0.3µs
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.44 грн
10+213.32 грн
25+183.69 грн
50+177.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Toshiba 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.59 грн
10+233.73 грн
100+163.16 грн
500+143.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D) TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Collector current: 35A
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Power dissipation: 230W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 0.3µs
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+387.44 грн
10+213.32 грн
25+183.69 грн
50+177.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: Toshiba
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.59 грн
10+233.73 грн
100+163.16 грн
500+143.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D)
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.