
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage

Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 365.80 грн |
25+ | 203.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 290µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT40QR21(STA1,E,D за ціною від 148.04 грн до 445.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 35A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 35A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
GT40QR21(STA1,E,D) | Виробник : TOSHIBA |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
GT40QR21 Транзистор Код товару: 168454
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |