Продукція > Транзистори > IGBT > GT40QR21 транзистор

GT40QR21 транзистор

Код товару: 168454
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GT40QR21 транзистор за ціною від 172.95 грн до 494.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA GT40QR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Collector current: 35A
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Power dissipation: 230W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 0.3µs
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.95 грн
10+207.54 грн
25+178.72 грн
50+172.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21 Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.17 грн
25+280.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Toshiba 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D) TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Collector current: 35A
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 80A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 0.6µs
Power dissipation: 230W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 0.3µs
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+376.95 грн
10+207.54 грн
25+178.72 грн
50+172.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.17 грн
25+280.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D 4238463131364445413333373934384636433636424144363939443642463343.pdf
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: Toshiba
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D)
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.