Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції GT40QR21 Транзистор за ціною від 140.53 грн до 402.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1200V 40A TO-3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 600 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P(N) Switching Energy: -, 290µJ (off) Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 35A Power dissipation: 230W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| GT40QR21(STA1,E,D) | Виробник : TOSHIBA |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товару немає в наявності |