GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1200V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.23 грн |
| 25+ | 175.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 290µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції GT40QR21(STA1,E,D за ціною від 109.01 грн до 346.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 35A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO3PN |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 35A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 0.3µs Turn-off time: 0.6µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO3PN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GT40QR21(STA1,E,D) | Виробник : TOSHIBA |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
GT40QR21 Транзистор Код товару: 168454 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
GT40QR21(STA1,E,D | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
товар відсутній |