HGTG11N120CND ON Semiconductor
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 118+ | 264.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTG11N120CND ON Semiconductor
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns, Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 43 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.
Інші пропозиції HGTG11N120CND за ціною від 103.00 грн до 572.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTG11N120CND | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HGTG11N120CND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 43A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| HGTG11N120CND | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| HGTG11N120CND | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cnd кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
HGTG11N120CND Код товару: 63369
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,1 V Ic 25: 43 A Ic 100: 22 A td(on)/td(off) 100-150 град: 23/180 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |