Продукція > Транзистори > IGBT > HGTG11N120CND FAIR
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND FAIR

hgtg11n120cnd-d.pdf
Код товару: 63369
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: FAIR
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 43 A
Ic 100: 22 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/180
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+103.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HGTG11N120CND за ціною від 226.27 грн до 557.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+254.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+254.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+314.80 грн
60+305.73 грн
120+294.65 грн
270+277.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+330.46 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ONSEMI 2304334.pdf Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.02 грн
10+286.34 грн
100+265.01 грн
500+226.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND onsemi hgtg11n120cnd-d.pdf IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+557.92 грн
10+355.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND info-thgtg11n120cnd.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+254.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND info-thgtg11n120cnd.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+254.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+314.80 грн
60+305.73 грн
120+294.65 грн
270+277.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
107+330.46 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND 2304334.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+498.02 грн
10+286.34 грн
100+265.01 грн
500+226.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: onsemi
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+557.92 грн
10+355.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF2807PBF
Код товару: 88517
3 Додати до обраних Обраний товар
irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 74 шт
18 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.