HGTG11N120CND FAIR
Код товару: 63369
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: FAIR
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 43 A
Ic 100: 22 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/180
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HGTG11N120CND за ціною від 192.19 грн до 550.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HGTG11N120CND | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cndкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HGTG11N120CND | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C; HGTG11N120CND THGTG11n120cndкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HGTG11N120CND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HGTG11N120CND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HGTG11N120CND | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 43A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HGTG11N120CND | Виробник : onsemi |
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| HGTG11N120CND | Виробник : ONS/FAI |
TO-247 1200 V 43 A Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
HGTG11N120CND | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRF2807PBF Код товару: 88517
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 74 шт
18 шт - склад
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
41 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 42.00 грн |
| 100+ | 37.50 грн |



