Продукція > Транзистори > IGBT > HGTG11N120CND
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

hgtg11n120cnd-d.pdf
Код товару: 63369
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 43 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 22 А
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+103.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HGTG11N120CND за ціною від 228.76 грн до 477.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON-Semiconductor info-thgtg11n120cnd.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+330.46 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ON Semiconductor hgtg11n120cnd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.00 грн
60+424.95 грн
120+378.17 грн
270+337.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND ONSEMI 2304334.pdf Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND HGTG11N120CND onsemi hgtg11n120cnd-d.pdf IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND info-thgtg11n120cnd.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND info-thgtg11n120cnd.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+330.46 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+477.00 грн
60+424.95 грн
120+378.17 грн
270+337.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND 2304334.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 43A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND hgtg11n120cnd-d.pdf
HGTG11N120CND
Виробник: onsemi
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF2807PBF
Код товару: 88517
3 Додати до обраних Обраний товар
irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 82 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 70 шт
  • 14 шт - склад
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.