Продукція > TOSHIBA > HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF Toshiba


HN1A01FU_datasheet_en_20210630-1916281.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.15 грн
25+ 12.28 грн
100+ 4.41 грн
1000+ 3.07 грн
3000+ 2.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FU-GR,LF Toshiba

Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1A01FU-GR,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HN1A01FU-GR,LF
Код товару: 196705
HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 6-Pin US T/R
товар відсутній
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товар відсутній
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товар відсутній
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товар відсутній