Продукція > TOSHIBA > HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF Toshiba

hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+3.35 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FU-GR,LF Toshiba

Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1A01FU-GR,LF за ціною від 1.91 грн до 15.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3379+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3379
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba HN1A01FU_datasheet_en_20210630-1916281.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.13 грн
46+7.43 грн
100+3.52 грн
1000+3.23 грн
3000+2.94 грн
9000+2.28 грн
24000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
32+9.56 грн
100+5.92 грн
500+4.07 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF
Код товару: 196705
Додати до обраних Обраний товар

HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.