Інші пропозиції HN1A01FU-GR,LF за ціною від 3.33 грн до 15.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HN1A01FU-GR,LF | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HN1A01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 200mW Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HN1A01FU-GR,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp |
на замовлення 20784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HN1A01FU-GR,LF | Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 866 шт В кошику од. на суму грн. |
| HN1A01FU-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 866+ | 5.52 грн |
| HN1A01FU-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.39 грн |
| 34+ | 8.89 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 500+ | 3.78 грн |
| 1000+ | 3.33 грн |
| HN1A01FU-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 20784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HN1A01FU-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| HN1C01FU-GR,LF Код товару: 128730
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





