Продукція > TOSHIBA > HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF Toshiba

hn1a01fudatasheeten20250821.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
866+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FU-GR,LF Toshiba

Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1A01FU-GR,LF за ціною від 2.83 грн до 18.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.03 грн
34+9.84 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba 4232464544423942424139304232354539394437434631443444313630323639.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 20784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+18.19 грн
34+10.86 грн
100+5.83 грн
500+4.25 грн
1000+3.78 грн
3000+3.31 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fudatasheeten20250821.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF
Код товару: 196705
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fu_datasheet_en_20210630.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba hn1a01fudatasheeten20250821.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF HN1A01FU-GR,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.