Інші пропозиції HN1C01FU-GR,LF за ціною від 4.02 грн до 18.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HN1C01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HN1C01FU-GR,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp |
на замовлення 8202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN1C01FU-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 18.03 грн |
| 29+ | 10.57 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 4.02 грн |
| HN1C01FU-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| HN1A01FU-GR,LF Код товару: 196705
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




