HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.06 грн |
| 14+ | 22.60 грн |
| 100+ | 14.36 грн |
| 500+ | 10.12 грн |
| 1000+ | 9.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції HN4C06J-BL(TE85L,F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN4C06J-BL(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
на замовлення 3542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
HN4C06J-BL(TE85L,F | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN4C06J-BL(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HN4C06J-BL(TE85L,F |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)