Технічний опис HN4C06J-BL(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції HN4C06J-BL(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN4C06J-BL(TE85L,F | Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
на замовлення 4449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN4C06J-BL(TE85L,F |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)