Продукція > TOSHIBA > HN4C06J-BL(TE85L,F
HN4C06J-BL(TE85L,F

HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba


HN4C06J_datasheet_en_20140301-1272629.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 4449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.79 грн
1000+30.33 грн
3000+8.16 грн
9000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba

Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції HN4C06J-BL(TE85L,F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN4C06J-BL(TE85L,F) HN4C06J-BL(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN4C06J_datasheet_en_20140301-1272629.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.