HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 41.53 грн |
| 1000+ | 31.65 грн |
| 3000+ | 8.51 грн |
| 9000+ | 6.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції HN4C06J-BL(TE85L,F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
HN4C06J-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
на замовлення 3542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
HN4C06J-BL(TE85L,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SMV Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|
|
|
HN4C06J-BL(TE85L,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SMV |
товару немає в наявності |