HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.79 грн |
| 1000+ | 30.33 грн |
| 3000+ | 8.16 грн |
| 9000+ | 6.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції HN4C06J-BL(TE85L,F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
HN4C06J-BL(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
на замовлення 3542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |


