Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > HN4C06J-BL(TE85L,F)

HN4C06J-BL(TE85L,F)

Код товару: 162574
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HN4C06J-BL(TE85L,F) за ціною від 9.04 грн до 38.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN4C06J-BL(TE85L,F HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22316&prodName=HN4C06J Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.60 грн
100+14.36 грн
500+10.12 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F) HN4C06J-BL(TE85L,F) Toshiba HN4C06J_datasheet_en_20140301-1272629.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba 12FE7038DD6D6F5087F97F99D80AFEBFFCE31458DB2D93F6A465C02AAF0194F0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F HN4C06J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22316&prodName=HN4C06J
HN4C06J-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
14+22.60 грн
100+14.36 грн
500+10.12 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F) HN4C06J_datasheet_en_20140301-1272629.pdf
HN4C06J-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F 12FE7038DD6D6F5087F97F99D80AFEBFFCE31458DB2D93F6A465C02AAF0194F0.pdf
HN4C06J-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.