Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IMZA120R040M1HXKSA1

IMZA120R040M1HXKSA1

Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795dc9831d9
Код товару: 213128
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IMZA120R040M1HXKSA1 за ціною від 449.29 грн до 895.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza120r040m1hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+828.67 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795dc9831d9 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.02 грн
30+516.18 грн
120+449.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_30-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 IMZA120R040M1HXKSA1 INFINEON 3704051.pdf Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 infineonimza120r040m1hdatasheetv0120en.pdf
IMZA120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+828.67 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8795dc9831d9
IMZA120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+895.02 грн
30+516.18 грн
120+449.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon-IMZA120R040M1H-DataSheet-v01_30-EN.pdf
IMZA120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R040M1HXKSA1 3704051.pdf
IMZA120R040M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

FOD8342
Код товару: 213127
Додати до обраних Обраний товар
fod8342-d.pdf
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085
Код товару: 213126
Додати до обраних Обраний товар
fgy120t65spd-f085-d.pdf
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY100T120SWD
Код товару: 213125
Додати до обраних Обраний товар
fgy100t120swd-d.pdf
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGS4 50А 800V
Код товару: 180578
Додати до обраних Обраний товар
RGS4 50А 800V
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник 78xd17mm
Номінальний струм: 50 А
Розмір: 17x78 mm
Фізичне виконання: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
у наявності: 179 шт
  • 173 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+221.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.