Інші пропозиції IMZA120R040M1HXKSA1 за ціною від 403.37 грн до 943.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IMZA120R040M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMZA120R040M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IMZA120R040M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IMZA120R040M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IMZA120R040M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IMZA120R040M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| FOD8342 Код товару: 213127
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGY120T65SPD-F085 Код товару: 213126
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FGY100T120SWD Код товару: 213125
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RGS4 50А 800V Код товару: 180578
Додати до обраних
Обраний товар
|
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник 78xd17mm
Номінальний струм: 50 A
Фізичне виконання: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
Короткий опис: Запобіжник 78xd17mm
Номінальний струм: 50 A
Фізичне виконання: З виводами
Номінальна напруга: 800 VAC
у наявності: 194 шт
185 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 221.00 грн |




