
FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 918.55 грн |
100+ | 872.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns, Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 162 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A, Power - Max: 882 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGY120T65SPD-F085 за ціною від 629.84 грн до 1233.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 162 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A Power - Max: 882 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 Код товару: 213126
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Gate charge: 162nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 378A Power dissipation: 441W Collector-emitter voltage: 650V Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FGY120T65SPD-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 441W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Gate charge: 162nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 378A Power dissipation: 441W Collector-emitter voltage: 650V Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |