Інші пропозиції IPP019N06NF2SAKMA1 за ціною від 68.42 грн до 94.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 8709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPP019N06NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPP019N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 185A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 162nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.53 грн |
| 100+ | 72.75 грн |
| 500+ | 68.42 грн |
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 79.18 грн |
| 184+ | 76.53 грн |
| 194+ | 72.75 грн |
| 500+ | 68.42 грн |
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 88.48 грн |
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 149+ | 94.55 грн |
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 94.94 грн |
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP019N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 80.71 грн |





