Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP019N06NF2SAKMA1

IPP019N06NF2SAKMA1

Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80
Код товару: 202347
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP019N06NF2SAKMA1 за ціною від 60.33 грн до 224.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP019N06NF2SAKMA1 IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP019N06NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.49 грн
10+142.66 грн
100+85.28 грн
500+69.07 грн
1000+64.28 грн
2000+61.81 грн
5000+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon_IPP019N06NF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP019N06NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 8709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.49 грн
10+142.66 грн
100+85.28 грн
500+69.07 грн
1000+64.28 грн
2000+61.81 грн
5000+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60ac673c80
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 185A; Idm: 33A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.