
IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 37.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPP048N04NGXKSA1 за ціною від 55.19 грн до 123.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPP048N04NGXKSA1 Код товару: 202354
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 79W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP048N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A Power dissipation: 79W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |