Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP052N06L3GXKSA1
IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP052N06L3GXKSA1 за ціною від 45.49 грн до 171.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+110.75 грн
131+93.91 грн
500+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.58 грн
10+117.91 грн
100+99.98 грн
500+67.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.06 грн
10+88.82 грн
15+63.67 грн
40+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.30 грн
10+93.96 грн
100+84.65 грн
500+57.77 грн
1000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.67 грн
10+110.69 грн
15+76.40 грн
40+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1
Код товару: 202355
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B052N06L3_DS_v02_04_en-1731963.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.