Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Код товару: 202355
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP052N06L3GXKSA1 за ціною від 72.91 грн до 150.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.07 грн
131+108.59 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.65 грн
10+127.26 грн
100+107.91 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+128.07 грн
131+108.59 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 ipp_b052n06l3_rev2.41.pdf
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+150.65 грн
10+127.26 грн
100+107.91 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 INFNS16474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.