Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP055N03LGXKSA1
IPP055N03LGXKSA1

IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies

ipp055n03l_rev2.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP055N03LGXKSA1 за ціною від 35.79 грн до 108.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.23 грн
10+57.48 грн
25+37.86 грн
67+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.07 грн
10+71.62 грн
25+45.43 грн
67+42.95 грн
500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.81 грн
11+80.30 грн
100+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP055N03L_rev1_04-1732316.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+84.60 грн
100+57.24 грн
500+38.84 грн
1000+38.55 грн
25000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1
Код товару: 202356
Додати до обраних Обраний товар

IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.