IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 39.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP055N03LGXKSA1 за ціною від 35.63 грн до 107.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP055N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP055N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP055N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP055N03LGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP055N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP055N03LGXKSA1 Код товару: 202356
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IPP055N03LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |