Інші пропозиції IPP055N03LGXKSA1 за ціною від 42.51 грн до 97.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IPP055N03LGXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP055N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 42.51 грн |
| IPP055N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 42.51 грн |
| IPP055N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 497+ | 70.68 грн |
| IPP055N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 97.41 грн |
| IPP055N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP055N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





