Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP110N20N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 38448436-5
Price: 12575.71 UAH
Availability: InStock

ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 21748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
73+	172.27 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP110N20N3GXKSA1 за ціною від 122.69 грн до 624.91 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	294.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

на замовлення 4111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	356.08 грн
50+	178.77 грн
100+	162.86 грн
500+	126.67 грн
1000+	122.69 грн

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf

MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 2079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	388.51 грн
10+	213.54 грн
100+	182.62 грн
500+	171.88 грн
1000+	129.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
32+	397.73 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 21748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	408.01 грн
10+	250.41 грн
25+	247.84 грн
50+	213.72 грн
100+	195.86 грн
250+	186.17 грн
500+	145.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : INFINEON

INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	425.21 грн
10+	236.71 грн
100+	233.26 грн
500+	186.23 грн
1000+	136.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	520.76 грн
10+	413.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	624.91 грн
10+	514.94 грн
50+	439.28 грн
100+	416.26 грн
500+	398.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1
Код товару: 144237

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPP110N20N3GXKSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.