IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 278.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP110N20N3GXKSA1 за ціною від 240.36 грн до 637.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 3021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 5951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 Код товару: 144237 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |