Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
Код товару: 144237
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP110N20N3GXKSA1 за ціною від 117.28 грн до 419.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.19 грн
5+165.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.67 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.08 грн
10+197.35 грн
100+179.26 грн
500+137.44 грн
1000+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 13178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.70 грн
50+206.82 грн
100+188.26 грн
500+146.16 грн
1000+136.37 грн
2000+128.13 грн
5000+117.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.37 грн
10+270.72 грн
100+173.39 грн
500+153.65 грн
1000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+220.19 грн
5+165.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+374.67 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+379.08 грн
10+197.35 грн
100+179.26 грн
500+137.44 грн
1000+124.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 13178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+414.70 грн
50+206.82 грн
100+188.26 грн
500+146.16 грн
1000+136.37 грн
2000+128.13 грн
5000+117.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+419.37 грн
10+270.72 грн
100+173.39 грн
500+153.65 грн
1000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

VS-15ETH06PBF
Код товару: 37108
Додати до обраних Обраний товар
VS-15ETH06PbF_FPPbF_VS-15ETH06-NE_FP-N3.pdf
VS-15ETH06PBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 22 ns
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+38.00 грн
10+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH60N60SMD
Код товару: 60291
4 Додати до обраних Обраний товар
FGH60N60SMDcvd.pdf
FGH60N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 99 шт
  • 90 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+185.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SMD
Код товару: 63296
2 Додати до обраних Обраний товар
fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 58 шт
  • 33 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+190.00 грн
10+175.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Код товару: 144659
Додати до обраних Обраний товар
ef80251s1-1000u-g99.pdf
Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A)
Виробник: Sunon
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
Габаритні розміри, mm: 80x80x25 mm
Напруга, В: 12 DC
Об’єм повітря, м.куб/год.: 69,29 м³/год.
Потужність, W: 1,66 Вт
Шум, dB: 33 дБ
Швидкість обертання, об/хв: 3200 об/хв
Опис: Підшипник ковзання "втулка"
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+150.00 грн
10+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1375 шт
  • 1273 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.