IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 21748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+175.93 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP110N20N3GXKSA1 за ціною від 123.90 грн до 439.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 16595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.21 грн
50+180.52 грн
100+164.46 грн
500+127.92 грн
1000+123.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.44 грн
10+220.65 грн
100+188.70 грн
500+177.60 грн
1000+133.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+406.19 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 21748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.69 грн
10+255.74 грн
25+253.11 грн
50+218.27 грн
100+200.03 грн
250+190.13 грн
500+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : INFINEON IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+439.37 грн
10+244.59 грн
100+241.03 грн
500+192.43 грн
1000+141.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 IPP110N20N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.14 грн
6+216.05 грн
15+204.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1
Код товару: 144237
Додати до обраних Обраний товар

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.