Інші пропозиції IPP110N20N3GXKSA1 за ціною від 109.91 грн до 456.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 16254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 38818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 38818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IPP110N20N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Вентилятор 80x80x25, 12V, (EF80251S1-G99-A) Код товару: 144659
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sunon
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
Габаритні розміри, mm: 80x80x25 mm
Напруга, В: 12 DC
Об’єм повітря, м.куб/год.: 69,29 м³/год.
Потужність, W: 1,66 Вт
Шум, dB: 33 дБ
Швидкість обертання, об/хв: 3200 об/хв
Опис: Підшипник ковзання "втулка"
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
Габаритні розміри, mm: 80x80x25 mm
Напруга, В: 12 DC
Об’єм повітря, м.куб/год.: 69,29 м³/год.
Потужність, W: 1,66 Вт
Шум, dB: 33 дБ
Швидкість обертання, об/хв: 3200 об/хв
Опис: Підшипник ковзання "втулка"
у наявності: 23 шт
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 150.00 грн |
| 10+ | 132.00 грн |
| FGH40N60SMD Код товару: 63296
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 60 шт
33 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 190.00 грн |
| 10+ | 175.00 грн |
| FGH60N60SMD Код товару: 60291
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності: 97 шт
90 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 185.00 грн |
| 10+ | 172.00 грн |
| VS-15ETH06PBF Код товару: 37108
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 22 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 22 ns
товару немає в наявності
очікується:
100 шт
100 шт - очікується 23.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.70 грн |








