IRF1010NPBF

IRF1010NPBF


irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
Код товару: 26804
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 97 шт:

75 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 25 шт:

25 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
1+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:68A
  • On State Resistance:0.0125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:115W
  • Power Dissipation Pd:115W
  • Pulse Current Idm:270A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1010NPBF за ціною від 26.06 грн до 117.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 184
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
178+65.93 грн
207+ 56.49 грн
250+ 54.68 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 39.06 грн
2000+ 35.46 грн
5000+ 34.32 грн
Мінімальне замовлення: 178
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.06 грн
10+ 61.13 грн
100+ 52.38 грн
250+ 48.89 грн
500+ 42.84 грн
1000+ 34.77 грн
2000+ 32.89 грн
5000+ 31.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.87 грн
10+ 72.06 грн
18+ 45.98 грн
48+ 43.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.79 грн
10+ 86.47 грн
18+ 55.18 грн
48+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.35 грн
50+ 76.33 грн
100+ 62.8 грн
500+ 49.87 грн
1000+ 42.32 грн
2000+ 40.2 грн
5000+ 38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010N_DataSheet_v01_01_EN-3362836.pdf MOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.77 грн
10+ 84.86 грн
100+ 59.96 грн
250+ 58.18 грн
500+ 50.93 грн
1000+ 43.55 грн
2000+ 41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.52 грн
10+ 90.17 грн
100+ 65.26 грн
500+ 53.05 грн
1000+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

TL494CN
Код товару: 36468
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CN
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 503 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 11.2 грн
Контакти для HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL)
Код товару: 8246
kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Контакти для HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL)
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти під роз'єм з кроком 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
у наявності: 44004 шт
очікується: 109500 шт
Кількість Ціна без ПДВ
5+1 грн
10+ 0.6 грн
100+ 0.42 грн
1000+ 0.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR332M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 15971
EXR_080421.pdf
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR332M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 2000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7.5 грн
10+ 6.4 грн
100+ 5.6 грн
1000+ 4.8 грн
IRF4905PBF
Код товару: 22366
irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
очікується: 2000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+48.5 грн
10+ 43.6 грн
100+ 39.5 грн
IRL3705NPBF
Код товару: 24017
description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 415 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 27.4 грн