Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1010NPBF
IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
Код товару: 26804
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності 270 шт:
215 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+38.00 грн
10+35.00 грн
100+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:68A
  • On State Resistance:0.0125ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.2`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.011ohm
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:115W
  • Power Dissipation Pd:115W
  • Pulse Current Idm:270A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF1010NPBF за ціною від 39.81 грн до 154.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+54.68 грн
2000+53.11 грн
5000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.15 грн
2000+55.51 грн
5000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.15 грн
10+77.21 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.58 грн
10+96.22 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
1000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010N_DataSheet_v01_01_EN-3362836.pdf MOSFETs MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.28 грн
10+81.02 грн
100+62.09 грн
250+60.03 грн
500+51.59 грн
1000+45.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 68 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.13 грн
10+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b Description: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 6015 шт
5606 шт - склад
53 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
165 шт - РАДІОМАГ-Одеса
103 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TL494CN
Код товару: 36468
Додати до обраних Обраний товар

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 262 шт
203 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.50 грн
100+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 16V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2463
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
100uF 16V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8216 шт
7676 шт - склад
122 шт - РАДІОМАГ-Київ
87 шт - РАДІОМАГ-Львів
131 шт - РАДІОМАГ-Харків
160 шт - РАДІОМАГ-Одеса
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.20 грн
1000+0.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1500uF 10V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR152M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 15885
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
1500uF 10V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR152M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1500 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1750 шт
1287 шт - склад
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Харків
98 шт - РАДІОМАГ-Одеса
80 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+5.50 грн
10+5.00 грн
100+4.50 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR332M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 15971
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
3300uF 6,3V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR332M0JBA-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 128 шт
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
62 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується
Кількість Ціна
2+7.50 грн
10+6.40 грн
100+5.60 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.