IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 30764
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1040/41
Монтаж: THT
у наявності: 75 шт
- 29 шт - склад
- 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon) за ціною від 17.85 грн до 117.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 96038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 8237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 96047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC |
на замовлення 14450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 3752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFZ34NPBF |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFZ34NPBF |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 983 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 96038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 451+ | 31.39 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 37.87 грн |
| 2000+ | 29.39 грн |
| 5000+ | 22.15 грн |
| 10000+ | 20.25 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 37.87 грн |
| 2000+ | 29.39 грн |
| 5000+ | 22.15 грн |
| 10000+ | 20.25 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.84 грн |
| 13+ | 33.80 грн |
| 50+ | 31.87 грн |
| 100+ | 28.01 грн |
| 500+ | 22.22 грн |
| 1000+ | 20.80 грн |
| 1250+ | 20.38 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 64.05 грн |
| 250+ | 61.49 грн |
| 500+ | 59.26 грн |
| 1000+ | 55.28 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 8237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.35 грн |
| 10+ | 53.74 грн |
| 50+ | 39.85 грн |
| 100+ | 33.19 грн |
| 500+ | 25.78 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 102.12 грн |
| 13+ | 58.38 грн |
| 100+ | 44.80 грн |
| 500+ | 38.93 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 139+ | 102.12 грн |
| 243+ | 58.38 грн |
| 316+ | 44.80 грн |
| 500+ | 38.93 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.08 грн |
| 13+ | 59.88 грн |
| 100+ | 44.49 грн |
| 500+ | 38.28 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 117.08 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 96047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.75 грн |
| 13+ | 60.76 грн |
| 100+ | 45.24 грн |
| 500+ | 38.96 грн |
| 1000+ | 28.99 грн |
| 4000+ | 18.83 грн |
| 10000+ | 17.85 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 14450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFZ34NPBF |
![]() |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRFZ34NPBF |
![]() |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 983 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF1010NPBF Код товару: 26804
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 85 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,011 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 85 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,011 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності: 242 шт
- 200 шт - склад
- 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
- 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38.00 грн |
| 10+ | 35.00 грн |
| 100+ | 31.50 грн |
| IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 197 шт
- 158 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1262 шт
- 1236 шт - склад
- 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 25 шт
- 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| IRF9Z24NPBF Код товару: 40284
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
- 122 шт - склад
- 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 16 шт
- 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
| 1N4148 Код товару: 176824
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
у наявності: 14166 шт
- 9571 шт - склад
- 888 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 144 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3563 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.28 грн |











