IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 30764
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 30 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1040/41
Монтаж: THT
у наявності: 77 шт
- 39 шт - склад
- 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon) за ціною від 18.50 грн до 121.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 22.7nC On-state resistance: 40mΩ |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 53766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 53767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 49270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 5110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFZ34NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC |
на замовлення 15277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFZ34NPBF |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFZ34NPBF |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 983 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 26.26 грн |
| 50+ | 24.76 грн |
| 100+ | 23.10 грн |
| 500+ | 20.03 грн |
| 1000+ | 19.28 грн |
| 1250+ | 19.03 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.60 грн |
| 2000+ | 31.74 грн |
| 5000+ | 28.15 грн |
| 10000+ | 25.99 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.60 грн |
| 2000+ | 31.74 грн |
| 5000+ | 28.15 грн |
| 10000+ | 25.99 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 51.94 грн |
| 276+ | 51.43 грн |
| 354+ | 40.06 грн |
| 500+ | 36.17 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 54.67 грн |
| 50+ | 54.12 грн |
| 100+ | 40.98 грн |
| 500+ | 36.78 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 260+ | 54.67 грн |
| 262+ | 54.12 грн |
| 346+ | 40.98 грн |
| 500+ | 36.78 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 257+ | 55.24 грн |
| 260+ | 54.70 грн |
| 342+ | 41.49 грн |
| 500+ | 37.24 грн |
| 1000+ | 31.33 грн |
| 2000+ | 27.60 грн |
| 5000+ | 23.50 грн |
| 10000+ | 22.49 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 53767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.30 грн |
| 50+ | 54.75 грн |
| 100+ | 41.54 грн |
| 500+ | 37.29 грн |
| 1000+ | 31.37 грн |
| 2000+ | 27.63 грн |
| 5000+ | 23.53 грн |
| 10000+ | 22.52 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 64.19 грн |
| 250+ | 61.62 грн |
| 500+ | 59.39 грн |
| 1000+ | 55.40 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 49270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 79.65 грн |
| 20+ | 40.75 грн |
| 100+ | 36.16 грн |
| 500+ | 24.08 грн |
| 1000+ | 20.16 грн |
| 5000+ | 18.50 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.95 грн |
| 50+ | 48.48 грн |
| 100+ | 43.06 грн |
| 500+ | 31.49 грн |
| 1000+ | 28.61 грн |
| 2000+ | 26.19 грн |
| 5000+ | 23.19 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
MOSFETs MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 15277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.62 грн |
| 10+ | 73.75 грн |
| 100+ | 42.46 грн |
| 500+ | 33.34 грн |
| 1000+ | 28.51 грн |
| 2000+ | 25.82 грн |
| 5000+ | 22.92 грн |
| IRFZ34NPBF |
![]() |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRFZ34NPBF |
![]() |
IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 983 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF1010NPBF Код товару: 26804
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 85 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 85 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності: 234 шт
- 200 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 38.00 грн |
| 10+ | 35.00 грн |
| 100+ | 31.50 грн |
| IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 19 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 19 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
- 200 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 49 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 49 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1488 шт
- 1410 шт - склад
- 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| IRF9Z24NPBF Код товару: 40284
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Id, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
- 130 шт - склад
- 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
| 1N4007-SMD M7 DO214AC (2000 шт./b.) Код товару: 73458
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214AC
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214AC
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |











