IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 30764
Виробник: InfineonUds,V: 60 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
Монтаж: THT
у наявності 168 шт:
113 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
100+ | 22.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon) за ціною від 14.18 грн до 78.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC |
на замовлення 6089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 56990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRFZ34NPBF | IRFZ34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 983 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
З цим товаром купують
IRFZ24NPBF Код товару: 4381 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 1028 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
1000+ | 10.9 грн |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1571 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
Плата перехідник SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактів Код товару: 39689 |
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
Опис: SO28 / SSOP28 / SOIC28 / MSOP28 / TSSOP28 / SSOP28 на 28 контактов
Тип: Перехідники
Вид: двостороння
у наявності: 52 шт
очікується:
400 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
100+ | 13.4 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 38046 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 1 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
470uF 25V ECR 8x14mm (ECR471M25BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2955 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 5493 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.6 грн |
100+ | 2.25 грн |
1000+ | 1.8 грн |