IRF1018EPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 291+ | 44.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1018EPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF1018EPBF за ціною від 27.00 грн до 179.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 4808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018EPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018EPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1018EPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IRF1018EPBF Код товару: 98648
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 79 A Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018EPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |