Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1018EPBF
IRF1018EPBF

IRF1018EPBF

irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
Код товару: 98648
Виробник: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності 46 шт:
8 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1018EPBF IR

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:79A
  • On State Resistance:7.1mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Power Dissipation:110W
  • Pulse Current Idm:315A
  • Transistor Case Style:TO-220

Інші пропозиції IRF1018EPBF за ціною від 18.83 грн до 79.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+32.57 грн
375+ 30.65 грн
384+ 29.99 грн
500+ 27.43 грн
1000+ 24.63 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+46.24 грн
300+ 38.36 грн
501+ 22.97 грн
1000+ 21.93 грн
Мінімальне замовлення: 249
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.12 грн
14+ 42.88 грн
100+ 35.57 грн
500+ 20.54 грн
1000+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
202+57.1 грн
259+ 44.46 грн
500+ 27.96 грн
Мінімальне замовлення: 202
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+60.42 грн
8+ 42.99 грн
25+ 31.9 грн
68+ 30.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.15 грн
11+ 53.02 грн
100+ 41.28 грн
500+ 25.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.29 грн
10+ 57.31 грн
100+ 40.62 грн
500+ 33.87 грн
1000+ 29.59 грн
2000+ 29.52 грн
5000+ 28.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.5 грн
5+ 53.57 грн
25+ 38.28 грн
68+ 36.18 грн
500+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+73.52 грн
13+ 59.11 грн
100+ 44.4 грн
500+ 36.5 грн
1000+ 28.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.32 грн
10+ 62.25 грн
100+ 48.4 грн
500+ 38.5 грн
1000+ 31.36 грн
2000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1018EPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF840PBF
Код товару: 182602		 irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 538 шт
очікується: 30 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+32 грн
10+ 27.8 грн
100+ 25.3 грн
STP100N6F7
Код товару: 113452		 stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+52 грн
10+ 47 грн
SS8050-H
Код товару: 160698		 ss8050-l_thru_s8050-h-sot23.pdf
SS8050-H
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
Монтаж: SMD
товар відсутній
SS8550-H
Код товару: 160700		 ss8550-l_thru_ss8550-h-sot23.pdf
SS8550-H
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 25 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 350
очікується: 2600 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+2.5 грн
10+ 1.6 грн
100+ 1.2 грн
1000+ 0.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
NE556DT
Код товару: 3587		 description NE556,SA556-SE556.pdf
NE556DT
Виробник: ST
Мікросхеми > Таймери
Корпус: SO-14
Опис: 2-й таймер > 0 .5MHz 6мА 0/+ 70
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 104 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+8 грн
10+ 7 грн
100+ 6.1 грн