IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 45.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3205ZPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:110A
- On State Resistance:0.0065ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:440A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF3205ZPBF за ціною від 50.77 грн до 82.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Power dissipation: 170W Gate charge: 110nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 78A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 55V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB On-state resistance: 6.5mΩ |
на замовлення 441 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 51339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 77.84 грн |
| 10+ | 64.55 грн |
| 20+ | 61.69 грн |
| 50+ | 57.74 грн |
| 100+ | 54.72 грн |
| 200+ | 51.69 грн |
| 250+ | 50.77 грн |
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 431+ | 82.27 грн |
| 500+ | 74.05 грн |
| 1000+ | 68.29 грн |
| 10000+ | 58.71 грн |
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4023 шт
- 3933 шт - склад
- 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| R16 10 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15) Код товару: 28623
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CTR
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 кОм
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 mm
Потужність: 0,06 Вт
Шток: 15 мм
Характеристика: Лінійний
у наявності: 2363 шт
- 2284 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 41 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 56 шт
- 56 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 12.20 грн |
| 100+ | 10.50 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1304 шт
- 1268 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 25 шт
- 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 28972 шт
- 25972 шт - склад
- 1000 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 7 шт
- 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 1443
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 3000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 4 шт
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
на замовлення: 396 шт
- 396 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5 грн |
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |








