IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Виробник: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності 578 шт:
437 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
47 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3205ZPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:110A
- On State Resistance:0.0065ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:440A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF3205ZPBF за ціною від 37.82 грн до 124.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 5581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13388 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1581 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
Термоусадочна трубка 14мм зелена (термоусадка 14,0мм) KLS8-01140-HT-14.0-G Код товару: 100479 |
Виробник: KLS
Ізоляційні матеріали
Група: Трубки термоусадочні
Опис: Трубка термоусадочна, діам.до/після усадки: 14/7мм; колір:зелений; температура стиснення + 90 ° С; роб.темп. -55... + 125 ° С; радіальне стиснення > 50%, поздовжнє стиснення < 5%; діелектрична міцність > 25kV/mm, матеріал: поліолефін.
Розмір: діам. 14,0мм
Ізоляційні матеріали
Група: Трубки термоусадочні
Опис: Трубка термоусадочна, діам.до/після усадки: 14/7мм; колір:зелений; температура стиснення + 90 ° С; роб.темп. -55... + 125 ° С; радіальне стиснення > 50%, поздовжнє стиснення < 5%; діелектрична міцність > 25kV/mm, матеріал: поліолефін.
Розмір: діам. 14,0мм
у наявності: 46 м
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 18 грн |
IRF4905PBF Код товару: 22366 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48.5 грн |
10+ | 43.6 грн |
100+ | 39.5 грн |
TLP250[F] Код товару: 28540 |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
у наявності: 451 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 61.5 грн |
100+ | 56.8 грн |