IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3205ZPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:110A
- On State Resistance:0.0065ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.0065ohm
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:440A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF3205ZPBF за ціною від 39.66 грн до 165.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 51339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 77.84 грн |
| 10+ | 64.55 грн |
| 20+ | 61.69 грн |
| 50+ | 57.74 грн |
| 100+ | 54.72 грн |
| 200+ | 51.69 грн |
| 250+ | 50.77 грн |
| 500+ | 47.74 грн |
| 1000+ | 44.72 грн |
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 431+ | 82.27 грн |
| 500+ | 74.05 грн |
| 1000+ | 68.29 грн |
| 10000+ | 58.71 грн |
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 102.65 грн |
| 11+ | 75.44 грн |
| 100+ | 54.01 грн |
| 500+ | 44.86 грн |
| 1000+ | 39.66 грн |
| IRF3205ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.75 грн |
| 50+ | 76.58 грн |
| 100+ | 68.54 грн |
| 500+ | 51.04 грн |
| 1000+ | 46.77 грн |
| 2000+ | 43.18 грн |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1221 шт
- 1123 шт - склад
- 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1490 шт
- 1410 шт - склад
- 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| R16 10 kOhm лінійний моно (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15) Код товару: 28623
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CTR
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 kOhm
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
Резистори > Змінні резистори (потенціометри)
Номінал: 10 kOhm
Опис: Вуглецевий потенціометр лінійний, моно
Вид: Поворотний
Розміри: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
у наявності: 2650 шт
- 2612 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 12.20 грн |
| 100+ | 10.50 грн |
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 1599 шт
- 844 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 755 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 8820 шт
- 5172 шт - склад
- 1948 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
- 30000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |









