Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF510PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 5,6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом Монтаж: THT |
у наявності: 83 шт
|
|
| IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 83 шт
- 44 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
Інші пропозиції IRF510PBF за ціною від 31.19 грн до 192.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 8952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 8965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 14936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 8018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 3746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.68 грн |
| 50+ | 65.66 грн |
| 100+ | 64.70 грн |
| 500+ | 52.84 грн |
| 1000+ | 43.11 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 78.68 грн |
| 215+ | 65.66 грн |
| 219+ | 64.70 грн |
| 500+ | 52.84 грн |
| 1000+ | 43.11 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 79.25 грн |
| 213+ | 66.28 грн |
| 217+ | 65.31 грн |
| 500+ | 53.43 грн |
| 1000+ | 43.62 грн |
| 2000+ | 38.01 грн |
| 5000+ | 33.86 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.65 грн |
| 50+ | 66.61 грн |
| 100+ | 65.64 грн |
| 500+ | 53.69 грн |
| 1000+ | 43.85 грн |
| 2000+ | 38.20 грн |
| 5000+ | 34.03 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 81.07 грн |
| 10+ | 50.05 грн |
| 50+ | 46.41 грн |
| 100+ | 42.69 грн |
| 250+ | 37.89 грн |
| 500+ | 34.50 грн |
| 1000+ | 31.19 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 84.56 грн |
| 182+ | 77.84 грн |
| 250+ | 69.15 грн |
| 500+ | 60.71 грн |
| 1000+ | 50.69 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 14936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.52 грн |
| 50+ | 91.28 грн |
| 100+ | 82.13 грн |
| 500+ | 62.00 грн |
| 1000+ | 57.16 грн |
| 2000+ | 53.08 грн |
| 5000+ | 47.88 грн |
| 10000+ | 46.73 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)








