Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF510PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 5,6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом Монтаж: THT |
у наявності: 8 шт
|
|
| IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
Інші пропозиції IRF510PBF за ціною від 32.16 грн до 198.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 13005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 8025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 8263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 78.68 грн |
| 207+ | 68.47 грн |
| 219+ | 64.70 грн |
| 500+ | 34.74 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 79.17 грн |
| 205+ | 69.01 грн |
| 217+ | 65.24 грн |
| 500+ | 35.18 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 143.32 грн |
| 10+ | 78.68 грн |
| 50+ | 68.47 грн |
| 100+ | 62.39 грн |
| 500+ | 32.16 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 143.35 грн |
| 10+ | 79.46 грн |
| 50+ | 69.26 грн |
| 100+ | 63.13 грн |
| 500+ | 32.69 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 13005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 198.52 грн |
| 10+ | 123.64 грн |
| 50+ | 94.29 грн |
| 100+ | 79.60 грн |
| 500+ | 64.04 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 8025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 8263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







