Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF510PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 5,6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом Монтаж: THT |
у наявності: 58 шт
|
|
| IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 58 шт
- 42 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
Інші пропозиції IRF510PBF за ціною від 28.61 грн до 192.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 12745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 6592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 191+ | 73.94 грн |
| 217+ | 65.18 грн |
| 229+ | 61.88 грн |
| 500+ | 34.47 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 78.68 грн |
| 207+ | 68.47 грн |
| 219+ | 64.70 грн |
| 500+ | 34.74 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 79.40 грн |
| 204+ | 69.20 грн |
| 216+ | 65.42 грн |
| 500+ | 35.27 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 93.59 грн |
| 189+ | 74.73 грн |
| 250+ | 63.70 грн |
| 500+ | 53.88 грн |
| 1000+ | 44.46 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 99.37 грн |
| 10+ | 50.88 грн |
| 50+ | 41.90 грн |
| 100+ | 38.18 грн |
| 250+ | 33.44 грн |
| 500+ | 29.80 грн |
| 1000+ | 28.61 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.63 грн |
| 11+ | 73.94 грн |
| 50+ | 65.18 грн |
| 100+ | 59.67 грн |
| 500+ | 31.92 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.21 грн |
| 10+ | 78.82 грн |
| 50+ | 68.70 грн |
| 100+ | 62.62 грн |
| 500+ | 32.42 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 143.32 грн |
| 10+ | 78.68 грн |
| 50+ | 68.47 грн |
| 100+ | 62.39 грн |
| 500+ | 32.16 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 12745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.25 грн |
| 10+ | 119.61 грн |
| 50+ | 91.24 грн |
| 100+ | 77.03 грн |
| 500+ | 61.97 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








