
IRF5210PBF

Код товару: 113380
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності 180 шт:
180 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 93.00 грн |
10+ | 88.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 48.93 грн до 289.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 613 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF5210PBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5210PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRF4905PBF Код товару: 22366
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 2089 шт
1983 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.50 грн |
10+ | 43.60 грн |
100+ | 39.50 грн |
IRF3710PBF Код товару: 43009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 408 шт
313 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 40.00 грн |
10+ | 36.00 грн |
100+ | 32.40 грн |
1N4007 Код товару: 1574
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10.00 грн |
10+ | 1.10 грн |
100+ | 0.85 грн |
1000+ | 0.70 грн |
BZX79-C15 Код товару: 24004
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 1164 шт
1047 шт - склад
63 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
63 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.30 грн |
100+ | 1.00 грн |
1000+ | 0.80 грн |
LM393P Код товару: 25898
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: ±36; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 5; Iпотр, мА: 1;
Udss,V: ±36 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: ±36; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 5; Iпотр, мА: 1;
Udss,V: ±36 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 496 шт
431 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 7.00 грн |
10+ | 6.30 грн |
100+ | 5.50 грн |