IRF5210PBF
Код товару: 113380
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93.00 грн |
| 10+ | 88.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 64.72 грн до 334.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 65449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 65449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 3496 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC |
на замовлення 11240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF5210PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 117+ | 122.11 грн |
| 127+ | 112.36 грн |
| 143+ | 99.79 грн |
| 500+ | 96.02 грн |
| 1000+ | 80.83 грн |
| 2000+ | 76.82 грн |
| 5000+ | 76.06 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 122.86 грн |
| 50+ | 113.05 грн |
| 100+ | 100.41 грн |
| 500+ | 96.60 грн |
| 1000+ | 81.33 грн |
| 2000+ | 77.30 грн |
| 5000+ | 76.52 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 223+ | 159.47 грн |
| 500+ | 144.11 грн |
| 1000+ | 132.30 грн |
| 10000+ | 113.80 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 183.59 грн |
| 81+ | 176.59 грн |
| 100+ | 170.60 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 199.14 грн |
| 10+ | 123.56 грн |
| 25+ | 107.59 грн |
| 50+ | 98.34 грн |
| 100+ | 89.09 грн |
| 500+ | 74.81 грн |
| 1000+ | 69.76 грн |
| 1250+ | 68.08 грн |
| 2000+ | 64.72 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.36 грн |
| 10+ | 115.68 грн |
| 100+ | 105.09 грн |
| 500+ | 77.16 грн |
| 1000+ | 69.27 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 245.92 грн |
| 100+ | 222.93 грн |
| 500+ | 182.67 грн |
| 1000+ | 163.67 грн |
| 2000+ | 141.84 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 263.13 грн |
| 10+ | 169.44 грн |
| 100+ | 102.65 грн |
| 500+ | 86.59 грн |
| 1000+ | 79.60 грн |
| 2000+ | 75.41 грн |
| IRF5210PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.65 грн |
| 50+ | 164.06 грн |
| 100+ | 148.73 грн |
| 500+ | 114.37 грн |
| 1000+ | 106.27 грн |
| 2000+ | 99.46 грн |
| 5000+ | 90.60 грн |
З цим товаром купують
| IRF4905PBF Код товару: 22366
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1950 шт
- 1850 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1375 шт
- 1273 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRF9540NPBF Код товару: 31944
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 644 шт
- 563 шт - склад
- 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24.50 грн |
| 10+ | 21.80 грн |
| IRF3710PBF Код товару: 43009
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 355 шт
- 329 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| 100+ | 32.40 грн |
| 1N5242B Код товару: 45548
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: -
Потужність, Pd: 0,5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.077%/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: -
Потужність, Pd: 0,5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.077%/°C
у наявності: 1402 шт
- 478 шт - склад
- 268 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 284 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 250 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 122 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |








