IRF5210PBF

IRF5210PBF


irf5210pbf-221443.pdf
Код товару: 113380
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності 8 шт:

4 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 53.58 грн до 318.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+144.87 грн
500+130.92 грн
1000+120.19 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.06 грн
10+109.25 грн
25+99.31 грн
50+91.04 грн
100+84.42 грн
500+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 759 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.47 грн
10+136.14 грн
25+119.18 грн
50+109.25 грн
100+101.30 грн
500+83.42 грн
1000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+179.71 грн
75+172.87 грн
100+167.00 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 12990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.33 грн
50+111.00 грн
100+100.21 грн
500+76.27 грн
1000+70.56 грн
2000+65.76 грн
5000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.66 грн
10+117.87 грн
100+94.55 грн
500+76.51 грн
1000+71.03 грн
2000+70.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+249.82 грн
101+127.91 грн
109+118.47 грн
500+111.76 грн
1000+83.55 грн
2000+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 54819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.23 грн
10+163.48 грн
100+150.39 грн
500+117.71 грн
1000+101.19 грн
2000+93.42 грн
5000+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Виробник : INFINEON irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: INFINEON - IRF5210PBF - MOSFET, P-KANAL, -100V, -40A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.47 грн
10+132.80 грн
100+122.11 грн
500+91.87 грн
1000+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 2308 шт
2250 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
41 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 250 шт
250 шт - очікується
Кількість Ціна
2+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1286 шт
1236 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30 шт
30 шт - очікується
Кількість Ціна
2+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5242B
Код товару: 45548
Додати до обраних Обраний товар

1N5231B.pdf
1N5242B
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: -
Потужність, Pd: 0,5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.077%/°C
у наявності: 1543 шт
840 шт - склад
278 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
270 шт - РАДІОМАГ-Харків
124 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+2.50 грн
30+1.70 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2927
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 202 шт
175 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+10.00 грн
10+9.00 грн
100+7.60 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2971
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 100 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 358 шт
204 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
21 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 05.06.2026
Кількість Ціна
10+5.00 грн
100+4.50 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.