Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF5210PBF
IRF5210PBF

IRF5210PBF

irf5210pbf-221443.pdf
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
  • 153 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 65.18 грн до 271.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.54 грн
184+76.93 грн
186+76.15 грн
500+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
500+117.49 грн
1000+108.34 грн
10000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.70 грн
10+125.17 грн
50+76.70 грн
100+73.21 грн
500+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.56 грн
10+124.44 грн
25+108.35 грн
50+99.04 грн
100+89.73 грн
500+75.34 грн
1000+70.26 грн
1250+68.57 грн
2000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.81 грн
10+152.95 грн
50+83.34 грн
100+79.56 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+259.81 грн
93+152.95 грн
170+83.34 грн
172+79.56 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.37 грн
10+171.49 грн
50+132.59 грн
100+112.68 грн
500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon_irf5210_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 15316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.54 грн
184+76.93 грн
186+76.15 грн
500+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+130.54 грн
500+117.49 грн
1000+108.34 грн
10000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 83035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+179.70 грн
10+125.17 грн
50+76.70 грн
100+73.21 грн
500+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.56 грн
10+124.44 грн
25+108.35 грн
50+99.04 грн
100+89.73 грн
500+75.34 грн
1000+70.26 грн
1250+68.57 грн
2000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+259.81 грн
10+152.95 грн
50+83.34 грн
100+79.56 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+259.81 грн
93+152.95 грн
170+83.34 грн
172+79.56 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.37 грн
10+171.49 грн
50+132.59 грн
100+112.68 грн
500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon_irf5210_datasheet_en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 15316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
17 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3861 шт
  • 3823 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5242B
Код товару: 45548
Додати до обраних Обраний товар
1N5231B.pdf
1N5242B
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 12 В
Струм стабілізації Izt, мА: -
Потужність Pd, Вт: 0,5 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0,077%/°С
у наявності: 1225 шт
  • 408 шт - склад
  • 258 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 202 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 240 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 117 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 672 шт
  • 672 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
12+1.70 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2927
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 100V ECR 13x26mm (ECR221M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 100 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 13x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 91 шт
  • 62 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+7.60 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2971
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
100uF 100V ECR 10x21mm (ECR101M2AB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 100 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x21 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 1102 шт
  • 936 шт - склад
  • 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 60 шт
  • 60 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.50 грн
10+5.00 грн
100+4.50 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
4 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 23010 шт
  • 21710 шт - склад
  • 780 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 340 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
на замовлення: 664 шт
  • 664 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.