Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF5210PBF
IRF5210PBF

IRF5210PBF

irf5210pbf-221443.pdf
Код товару: 113380
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності 147 шт:
107 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 50.52 грн до 239.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
724+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 724
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+111.85 грн
131+93.22 грн
142+85.51 грн
500+70.74 грн
2000+62.06 грн
5000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.58 грн
10+92.08 грн
17+56.19 грн
46+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+149.32 грн
85+143.64 грн
100+138.77 грн
250+129.75 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 41167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+150.75 грн
10+119.77 грн
25+99.77 грн
100+88.50 грн
500+70.13 грн
2000+63.78 грн
5000+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.30 грн
10+114.75 грн
17+67.42 грн
46+63.68 грн
5000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.00 грн
50+102.76 грн
100+94.75 грн
500+72.12 грн
1000+66.73 грн
2000+62.19 грн
5000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF5210-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.12 грн
10+115.45 грн
100+92.90 грн
500+75.67 грн
1000+68.32 грн
2000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+229.08 грн
59+207.23 грн
112+109.28 грн
500+98.35 грн
1000+72.20 грн
2000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.52 грн
10+217.67 грн
100+111.77 грн
500+85.06 грн
1000+76.36 грн
5000+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF4905PBF
Код товару: 22366
Додати до обраних Обраний товар

irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 2604 шт
2437 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
103 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 15 шт
15 шт - очікується
Кількість Ціна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
Додати до обраних Обраний товар

irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 332 шт
247 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007
Код товару: 1574
Додати до обраних Обраний товар

1n4001.pdf
1N4007
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.10 грн
100+0.85 грн
1000+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C15
Код товару: 24004
Додати до обраних Обраний товар

BZX79.pdf
BZX79-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 1035 шт
921 шт - склад
63 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LM393P
Код товару: 25898
Додати до обраних Обраний товар

description lm193.pdf?ts=1640569642482
LM393P
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-8
Функц.опис: Кількість каналів: 2; Uпіт, В: ±36; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 5; Iпотр, мА: 1;
Udss,V: ±36 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 274 шт
220 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.