IRF5210PBF


irf5210pbf-221443.pdf
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 194 шт
  • 188 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 64.72 грн до 334.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+122.11 грн
127+112.36 грн
143+99.79 грн
500+96.02 грн
1000+80.83 грн
2000+76.82 грн
5000+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.86 грн
50+113.05 грн
100+100.41 грн
500+96.60 грн
1000+81.33 грн
2000+77.30 грн
5000+76.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
10000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.59 грн
81+176.59 грн
100+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.14 грн
10+123.56 грн
25+107.59 грн
50+98.34 грн
100+89.09 грн
500+74.81 грн
1000+69.76 грн
1250+68.08 грн
2000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.36 грн
10+115.68 грн
100+105.09 грн
500+77.16 грн
1000+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.92 грн
100+222.93 грн
500+182.67 грн
1000+163.67 грн
2000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.13 грн
10+169.44 грн
100+102.65 грн
500+86.59 грн
1000+79.60 грн
2000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.65 грн
50+164.06 грн
100+148.73 грн
500+114.37 грн
1000+106.27 грн
2000+99.46 грн
5000+90.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
117+122.11 грн
127+112.36 грн
143+99.79 грн
500+96.02 грн
1000+80.83 грн
2000+76.82 грн
5000+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.86 грн
50+113.05 грн
100+100.41 грн
500+96.60 грн
1000+81.33 грн
2000+77.30 грн
5000+76.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
10000+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
78+183.59 грн
81+176.59 грн
100+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+199.14 грн
10+123.56 грн
25+107.59 грн
50+98.34 грн
100+89.09 грн
500+74.81 грн
1000+69.76 грн
1250+68.08 грн
2000+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+231.36 грн
10+115.68 грн
100+105.09 грн
500+77.16 грн
1000+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+245.92 грн
100+222.93 грн
500+182.67 грн
1000+163.67 грн
2000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF Infineon_IRF5210_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 11240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+263.13 грн
10+169.44 грн
100+102.65 грн
500+86.59 грн
1000+79.60 грн
2000+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+334.65 грн
50+164.06 грн
100+148.73 грн
500+114.37 грн
1000+106.27 грн
2000+99.46 грн
5000+90.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF4905PBF
Код товару: 22366
15 Додати до обраних Обраний товар
irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1950 шт
  • 1850 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
16 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1375 шт
  • 1273 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF
Код товару: 31944
3 Додати до обраних Обраний товар
irf9540npbf.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 644 шт
  • 563 шт - склад
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF
Код товару: 43009
2 Додати до обраних Обраний товар
irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 355 шт
  • 329 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5242B
Код товару: 45548
Додати до обраних Обраний товар
1N5231B.pdf
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: -
Потужність, Pd: 0,5 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.077%/°C
у наявності: 1402 шт
  • 478 шт - склад
  • 268 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 284 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 250 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 122 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
8+2.50 грн
12+1.70 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.