| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 138.30 грн |
| 124+ | 114.59 грн |
| 134+ | 105.37 грн |
| 250+ | 97.80 грн |
| 500+ | 82.32 грн |
| 1000+ | 75.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF540SPBF за ціною від 44.60 грн до 275.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72 Монтаж: SMD |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
|
|
IRF540SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF540SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| IRF540SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 140.32 грн |
| 112+ | 126.24 грн |
| 500+ | 81.78 грн |
| IRF540SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 166.95 грн |
| 10+ | 77.94 грн |
| 50+ | 64.24 грн |
| 100+ | 59.95 грн |
| 250+ | 57.38 грн |
| 500+ | 52.24 грн |
| 1000+ | 49.68 грн |
| IRF540SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 270.56 грн |
| 10+ | 169.58 грн |
| 50+ | 130.62 грн |
| 100+ | 110.79 грн |
| 500+ | 90.14 грн |
| IRF540SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 275.46 грн |
| 10+ | 140.97 грн |
| 100+ | 126.82 грн |
| 500+ | 79.23 грн |
| IRF540SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)