IRF540SPBF SILI
Код товару: 123222
Виробник: SILIUds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності 6 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49.5 грн |
10+ | 44.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF540SPBF за ціною від 32.13 грн до 175.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 8988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 678 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET |
на замовлення 3123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF540SPBF Код товару: 109401 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
PMBT3904 Код товару: 121700 |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: SMD
у наявності: 2025 шт
1286 шт - склад
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
236 шт - РАДІОМАГ-Львів
170 шт - РАДІОМАГ-Харків
143 шт - РАДІОМАГ-Одеса
130 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
60 шт - РАДІОМАГ-Київ
236 шт - РАДІОМАГ-Львів
170 шт - РАДІОМАГ-Харків
143 шт - РАДІОМАГ-Одеса
130 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
15+ | 1.4 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.4 грн |
IRF1404ZPBF Код товару: 26520 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
83 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
100+ | 48.9 грн |