| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.64 грн |
| 92+ | 155.07 грн |
| 100+ | 141.88 грн |
| 114+ | 119.52 грн |
| 500+ | 93.16 грн |
| 1000+ | 77.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF540SPBF за ціною від 44.60 грн до 275.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 20 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72 Монтаж: SMD |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
|
IRF540SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF540SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF540SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF540SPBF Код товару: 123222
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.08 грн |
| 10+ | 164.10 грн |
| 50+ | 126.41 грн |
| 100+ | 107.21 грн |
| 500+ | 87.23 грн |
| IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 275.26 грн |
| 10+ | 156.98 грн |
| 25+ | 155.41 грн |
| 50+ | 137.11 грн |
| 100+ | 110.91 грн |
| 500+ | 89.63 грн |
| 1000+ | 77.29 грн |
| IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





