IRF710PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 43.00 грн |
| 50+ | 29.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF710PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF710PBF за ціною від 20.01 грн до 141.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF710 PBF | Виробник : Vishay/IR | TO-220AB |
на замовлення 13 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF710PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |