
IRF710


Код товару: 23685
Виробник: IRUds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
у наявності 13 шт:
13 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
10+ | 14.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF710 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:1.5A
- On State Resistance:3.6ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:400V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:20W
- Power Dissipation Pd:20W
- Pulse Current Idm:6A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF710 за ціною від 12.90 грн до 48.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF710 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
IRF710 | Виробник : Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRF710 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRF710 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRF710 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IRF710 | Виробник : HARRIS |
![]() ![]() |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
IRF710 Код товару: 123225
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : SILI |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 2 A Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/17 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IRF710 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |