Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF710 SILI
IRF710

IRF710 SILI

91041-datasheet.pdf
Код товару: 123225
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: SILI
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF710 SILI

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.5A
  • On State Resistance:3.6ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:400V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:20W
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:6A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF710 за ціною від 14.00 грн до 50.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF710 IRF710 Виробник : Siliconix info-tirf710.pdf N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
10000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710
Код товару: 23685
Додати до обраних Обраний товар
Виробник : IR HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Vishay / Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.