Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF710 SILI
IRF710

IRF710 SILI

91041-datasheet.pdf
Код товару: 123225
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: SILI
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF710 SILI

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.5A
  • On State Resistance:3.6ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:400V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:20W
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:6A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF710 за ціною від 28.19 грн до 50.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF710 IRF710 Siliconix info-tirf710.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 FAIRCHILD HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
10000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description info-tirf710.pdf
IRF710
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: FAIRCHILD
IRF710
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
10000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: HARRIS
IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.