IRF710 Harris Corporation
Виробник: Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 27.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF710 Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF710 за ціною від 22.74 грн до 28.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF710 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF710 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF710 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF710 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF710 Код товару: 23685 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 400 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/17 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||
IRF710 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||
IRF710 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
IRF710 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF710PBF |
товар відсутній |
||||||
IRF710 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET |
товар відсутній |
||||||
IRF710 Код товару: 123225 |
Виробник : SILI |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 2 A Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/17 Монтаж: THT |
товар відсутній
|