Продукція > ONSEMI > IRF710
IRF710

IRF710 onsemi

HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF710 onsemi

Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF710 за ціною від 12.90 грн до 43.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF710 IRF710 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
505+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 505
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : ONSEMI MOTOD144-3-131.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRF710 - IRF710, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+43.94 грн
1000+40.52 грн
10000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+43.94 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 Виробник : HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+43.94 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710
Код товару: 23685
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710
Код товару: 123225
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : SILI 91041-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 2 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : Vishay / Siliconix HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Виробник : onsemi / Fairchild HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.