Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF710
IRF710

IRF710

HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Код товару: 23685
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 400 V
Струм стоку Idd, A: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 170/17
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF710 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.5A
  • On State Resistance:3.6ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:400V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:20W
  • Power Dissipation Pd:20W
  • Pulse Current Idm:6A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF710 за ціною від 28.26 грн до 50.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF710 IRF710 Siliconix info-tirf710.pdf description N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 onsemi HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 IRF710 Fairchild Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
10000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 ON Semiconductor HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 HARRIS HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf description IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description info-tirf710.pdf
IRF710
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.8A 400V 20W 3.6Ω IRF710 IRF710 TIRF710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF710
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
505+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 18893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
10000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710 description HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91041.pdf
Виробник: HARRIS
IRF710
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

2SC5200O (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 31995
Додати до обраних Обраний товар
2sc5200.pdf
2SC5200O (біполярний транзистор NPN)
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
fT: 30 MHz
Uceo,V: 230 V
Ucbo,V: 230 V
Ic,A: 15 A
h21: 160
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 10 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+116.00 грн
10+106.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE15032G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 28060
Додати до обраних Обраний товар
MJE15032,15033.pdf
MJE15032G (біполярний транзистор NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
  • 100 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.50 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
17 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 110 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1158 шт
  • 1097 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUL45D2G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 20850
Додати до обраних Обраний товар
BUL45D2.PDF
BUL45D2G (біполярний транзистор NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 5 А
h21: 29
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 200 V
Струм стоку Idd, A: 9,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
  • 167 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.