IRF840SPBF
Код товару: 188626
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF840SPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840SPBF Код товару: 82665
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263 (D2PAK) Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 8 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,84 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 171 шт
на замовлення: 8 шт
|
|
| IRF840SPBF Код товару: 82665
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,84 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,84 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 171 шт
- 141 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 8 шт
- 8 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 74.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
Інші пропозиції IRF840SPBF за ціною від 47.69 грн до 257.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 657 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF840SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF840SPBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 125,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 120.13 грн |
| 122+ | 116.17 грн |
| 250+ | 110.89 грн |
| 500+ | 103.11 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 122.33 грн |
| 10+ | 73.79 грн |
| 50+ | 65.50 грн |
| 100+ | 63.84 грн |
| 250+ | 60.53 грн |
| 500+ | 58.04 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 126.58 грн |
| 194+ | 72.94 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.18 грн |
| 50+ | 90.92 грн |
| 100+ | 81.78 грн |
| 500+ | 61.72 грн |
| 1000+ | 56.89 грн |
| 2000+ | 52.83 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 257.89 грн |
| 10+ | 126.29 грн |
| 100+ | 72.77 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 125,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 8 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 125,... Транзистори Корпус: D2PAK Од.
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 55.65 грн |
| 100+ | 47.69 грн |
З цим товаром купують
| 60,4 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (резистор SMD) Код товару: 4301
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 60,4 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 60,4 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 7500 шт
- 7400 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 1000 шт
- 1000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 18,7 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (резистор SMD) Код товару: 4204
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Uni-Ohm
SMD резистори > 0805
Номінал: 18,7 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 18,7 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 117 шт
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 1000 шт
- 1000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 14 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-14K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3809
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 14 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 14 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 6 шт
- 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.33 грн |
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| 200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-200KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3540
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 кОм
Точність: ±1% F
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 10630 шт
- 9230 шт - склад
- 1300 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.22 грн |
| 10000+ | 0.16 грн |
| Запобіжник 3,6x10mm 3А 250VAC з виводами (KLS5-1005-3000) Код товару: 3457
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник швидкий з аксіальними виводами у склі швидкий 3А 250В 4х11м
Номінальний струм: 3 А
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник швидкий з аксіальними виводами у склі швидкий 3А 250В 4х11м
Номінальний струм: 3 А
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 293 шт
- 176 шт - склад
- 67 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
на замовлення: 31 шт
- 31 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |









