IRF840SPBF Vishay
Код товару: 82665
Виробник: VishayКорпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності 187 шт:
144 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 74.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF840SPBF за ціною від 43.45 грн до 124.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840SPBF Код товару: 188626
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263 (D2PAK) Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRF840SPBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK |
на замовлення 63 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
З цим товаром купують
| 4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3132
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 11.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |
| ES2G-E3/52T (DO214AA – Vishay) Код товару: 60290
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214
Uзвор., V: 300 V
Iвипр., A: 2 A
Опис: Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-214
Uзвор., V: 300 V
Iвипр., A: 2 A
Опис: Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 443 шт
278 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
65 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
65 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.80 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 41962 шт
37566 шт - склад
1404 шт - РАДІОМАГ-Київ
274 шт - РАДІОМАГ-Харків
2718 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1404 шт - РАДІОМАГ-Київ
274 шт - РАДІОМАГ-Харків
2718 шт - РАДІОМАГ-Одеса
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |
| 13 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-13K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1221
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 13 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 13 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 7809 шт
3122 шт - РАДІОМАГ-Київ
217 шт - РАДІОМАГ-Львів
3800 шт - РАДІОМАГ-Одеса
670 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
217 шт - РАДІОМАГ-Львів
3800 шт - РАДІОМАГ-Одеса
670 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |







