IRF840SPBF
Код товару: 188626
Виробник: IRКорпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності 36 шт:
15 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 65 грн |
10+ | 59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF840SPBF за ціною від 37.57 грн до 142.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF840SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 726 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 5646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK |
на замовлення 63 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840SPBF Код товару: 82665 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
IRF840SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
З цим товаром купують
BC847B (транзистор біполярний NPN) Код товару: 2033 |
Виробник: Infineon/Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1492 шт
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.9 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |
BC807-25 Код товару: 2039 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 400
у наявності: 1767 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |
US1M Код товару: 30533 |
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
товар відсутній
10uH 10% 0805 (SWI0805FT100K-Hitano) індуктивність Код товару: 51274 |
Виробник: Hitano
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805
Номінал, H: 10 µH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0805
Характеристики: Дротова на кераміці
Номинальный ток: 180 mA
Опір: 4,5 Ohm
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805
Номінал, H: 10 µH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0805
Характеристики: Дротова на кераміці
Номинальный ток: 180 mA
Опір: 4,5 Ohm
у наявності: 9 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 82514 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |