Інші пропозиції IRF9630PBF за ціною від 42.45 грн до 268.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9630PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Pulsed drain current: -26A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 194 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET |
на замовлення 5881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF9630PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 146+ | 97.29 грн |
| 154+ | 91.88 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 131+ | 108.48 грн |
| 148+ | 95.90 грн |
| 154+ | 92.25 грн |
| 500+ | 77.26 грн |
| 1000+ | 59.48 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 130+ | 108.98 грн |
| 147+ | 96.49 грн |
| 153+ | 92.84 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 118.78 грн |
| 10+ | 86.88 грн |
| 50+ | 66.18 грн |
| 100+ | 59.30 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 112+ | 127.24 грн |
| 113+ | 126.11 грн |
| 161+ | 88.07 грн |
| 500+ | 68.17 грн |
| 1000+ | 56.92 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 127.40 грн |
| 50+ | 126.27 грн |
| 100+ | 88.18 грн |
| 500+ | 68.26 грн |
| 1000+ | 56.99 грн |
| 2000+ | 42.45 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 6.5A P-CH MOSFET
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.68 грн |
| 10+ | 97.27 грн |
| 2000+ | 79.65 грн |
| 5000+ | 53.85 грн |
| 10000+ | 48.91 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 218.73 грн |
| 10+ | 129.10 грн |
| 100+ | 81.24 грн |
| IRF9630PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.01 грн |
| 50+ | 130.65 грн |
| 100+ | 118.27 грн |
| 500+ | 90.63 грн |
З цим товаром купують
| 1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17832
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3095 шт
- 785 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1610 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 30000 шт
- 30000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 4,7 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4K7R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 17658
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 25000 шт
- 25000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| IRF630NPBF Код товару: 15961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 223 шт
- 167 шт - склад
- 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| 2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 6453 шт
- 6240 шт - склад
- 165 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 40 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 100uF 35V ECR 6x11mm (ECR101M35BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2981
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 9242 шт
- 9038 шт - склад
- 70 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 94 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 11+ | 1.90 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |












