IRF9Z14
Код товару: 40267
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Id,A: 6,7 A
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF9Z14 IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z24NPBF Код товару: 40284
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 12 А Rds(on),Om: 0,175 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 Монтаж: THT |
у наявності: 184 шт
|
|
| IRF9Z24NPBF Код товару: 40284
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
- 130 шт - склад
- 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Інші пропозиції IRF9Z14
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z14 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IRF9Z14 | Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9Z14 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z14 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




