Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9Z24NPBF
IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

irf9z24npbf-datasheet.pdf
Код товару: 40284
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 130 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9Z24NPBF за ціною від 19.47 грн до 146.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.65 грн
2000+30.09 грн
5000+28.59 грн
10000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.65 грн
2000+30.09 грн
5000+28.59 грн
10000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.13 грн
1036+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.65 грн
21+37.33 грн
100+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.03 грн
11+38.58 грн
25+34.12 грн
50+31.44 грн
100+28.83 грн
500+23.53 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.83 грн
321+44.27 грн
500+37.80 грн
1000+31.83 грн
2000+28.04 грн
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 28211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.65 грн
13+64.68 грн
100+43.42 грн
500+31.54 грн
1000+26.26 грн
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.98 грн
10+67.05 грн
100+38.41 грн
500+30.17 грн
1000+25.77 грн
2000+23.39 грн
5000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.01 грн
12+63.66 грн
100+44.15 грн
500+36.35 грн
1000+29.40 грн
2000+26.84 грн
5000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+89.41 грн
100+59.94 грн
500+44.40 грн
1000+40.58 грн
2000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF International Rectifier/Infineon irf9z24npbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+22.71 грн
100+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+32.65 грн
2000+30.09 грн
5000+28.59 грн
10000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+32.65 грн
2000+30.09 грн
5000+28.59 грн
10000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
955+37.13 грн
1036+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+45.65 грн
21+37.33 грн
100+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+57.03 грн
11+38.58 грн
25+34.12 грн
50+31.44 грн
100+28.83 грн
500+23.53 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
223+63.83 грн
321+44.27 грн
500+37.80 грн
1000+31.83 грн
2000+28.04 грн
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 28211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.65 грн
13+64.68 грн
100+43.42 грн
500+31.54 грн
1000+26.26 грн
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.98 грн
10+67.05 грн
100+38.41 грн
500+30.17 грн
1000+25.77 грн
2000+23.39 грн
5000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+113.01 грн
12+63.66 грн
100+44.15 грн
500+36.35 грн
1000+29.40 грн
2000+26.84 грн
5000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.11 грн
10+89.41 грн
100+59.94 грн
500+44.40 грн
1000+40.58 грн
2000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
50+22.71 грн
100+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
1 Додати до обраних Обраний товар
description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 351 шт
  • 299 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
15 Додати до обраних Обраний товар
irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1950 шт
  • 1850 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар
description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
  • 200 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000
Код товару: 200238
3 Додати до обраних Обраний товар
2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1785 шт
  • 1518 шт - склад
  • 176 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 91 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 2245
Додати до обраних Обраний товар
X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується: 52000 шт
  • 52000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна
20+1.00 грн
100+0.75 грн
1000+0.58 грн
10000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.