IRF9Z24NPBF
Код товару: 40284
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
- 122 шт - склад
- 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 16 шт
- 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9Z24NPBF за ціною від 19.47 грн до 121.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 811 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 3706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm |
на замовлення 31151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF9Z24NPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 28.80 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 472+ | 30.03 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1145+ | 30.96 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 33.05 грн |
| 2000+ | 30.48 грн |
| 5000+ | 28.43 грн |
| 10000+ | 25.82 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 33.05 грн |
| 2000+ | 30.48 грн |
| 5000+ | 28.43 грн |
| 10000+ | 25.82 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.02 грн |
| 20+ | 38.92 грн |
| 100+ | 32.98 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 56.38 грн |
| 11+ | 38.14 грн |
| 25+ | 33.74 грн |
| 50+ | 31.08 грн |
| 100+ | 28.50 грн |
| 500+ | 23.27 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 71.49 грн |
| 291+ | 48.72 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 73.10 грн |
| 285+ | 49.77 грн |
| 500+ | 39.04 грн |
| 1000+ | 32.83 грн |
| 2000+ | 28.93 грн |
| 5000+ | 25.76 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.30 грн |
| 12+ | 66.16 грн |
| 100+ | 47.08 грн |
| 500+ | 36.36 грн |
| 1000+ | 29.70 грн |
| 2000+ | 27.18 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 110.41 грн |
| 11+ | 71.49 грн |
| 100+ | 48.72 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.78 грн |
| 11+ | 72.94 грн |
| 100+ | 49.66 грн |
| 500+ | 37.55 грн |
| 1000+ | 30.33 грн |
| 2000+ | 27.71 грн |
| 5000+ | 25.70 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.15 грн |
| 10+ | 73.89 грн |
| 50+ | 55.42 грн |
| 100+ | 46.40 грн |
| 500+ | 36.55 грн |
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 31151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9Z24NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 22.71 грн |
| 100+ | 19.47 грн |
З цим товаром купують
| IRFZ24NPBF Код товару: 4381
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 322 шт
- 271 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 39 шт
- 39 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
| IRF4905PBF Код товару: 22366
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 74 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1801 шт
- 1689 шт - склад
- 62 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.50 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
- 181 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| 2N7000 Код товару: 200238
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1508 шт
- 1296 шт - склад
- 166 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 46 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2245
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
товару немає в наявності
очікується: 52000 шт
- 52000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.75 грн |
| 1000+ | 0.58 грн |
| 10000+ | 0.45 грн |










