IRF9Z24NPBF
Код товару: 40284
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності 315 шт:
220 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9Z24NPBF за ціною від 14.8 грн до 58.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC |
на замовлення 6395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFZ24NPBF Код товару: 4381 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 1047 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
1000+ | 10.9 грн |
IRF9Z34NPBF Код товару: 31477 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 664 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 22.4 грн |
100+ | 19.9 грн |
IRF4905PBF Код товару: 22366 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 152 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48.5 грн |
10+ | 43.6 грн |
100+ | 39.5 грн |
TL431ACLP Код товару: 26293 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Adjustable precision shunt regulators
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Adjustable precision shunt regulators
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 304 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.3 грн |
1000+ | 3.7 грн |
Макетна плата 5x7 двостороння, зелена Код товару: 144388 |
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
у наявності: 1336 шт
очікується:
1000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |