Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9Z24NPBF
IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

irf9z24npbf-datasheet.pdf
Код товару: 40284
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності 56 шт:
39 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9Z24NPBF за ціною від 18.13 грн до 85.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
465+26.72 грн
538+23.08 грн
540+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.26 грн
100+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.07 грн
50+28.79 грн
100+26.71 грн
250+23.92 грн
500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.05 грн
10+40.76 грн
100+28.32 грн
500+24.88 грн
1000+22.51 грн
2000+20.59 грн
5000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.28 грн
50+35.87 грн
100+32.05 грн
250+28.71 грн
500+26.31 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+44.52 грн
347+35.79 грн
500+31.25 грн
1000+27.57 грн
2000+23.40 грн
5000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.06 грн
20+45.17 грн
100+36.07 грн
500+29.42 грн
1000+24.66 грн
5000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.78 грн
100+38.40 грн
500+32.33 грн
1000+27.39 грн
2000+24.10 грн
5000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.29 грн
10+51.67 грн
100+33.96 грн
500+24.75 грн
1000+22.45 грн
2000+20.52 грн
5000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Виробник : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
Додати до обраних Обраний товар

description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 618 шт
585 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10 шт
10 шт - очікується
Кількість Ціна
3+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Макетна плата 5x7 двостороння, зелена
Код товару: 144388
Додати до обраних Обраний товар

Макетна плата 5x7 двостороння, зелена
+1
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
у наявності: 309 шт
238 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 3000 шт
1000 шт - очікується 29.12.2025
2000 шт - очікується 30.03.2026
Кількість Ціна
3+16.00 грн
10+14.40 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4035
Додати до обраних Обраний товар

P2N2222A.pdf
2N2222 (транзистор біполярний NPN)
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 610 шт
285 шт - РАДІОМАГ-Київ
181 шт - РАДІОМАГ-Львів
144 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість Ціна
20+2.00 грн
31+1.30 грн
100+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар

description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 208 шт
165 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Код товару: 11106
Додати до обраних Обраний товар

CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 42533 шт
37840 шт - склад
420 шт - РАДІОМАГ-Київ
1231 шт - РАДІОМАГ-Харків
3042 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
60+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.