
IRF9Z24NPBF

Код товару: 40284
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності 240 шт:
186 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18.00 грн |
10+ | 16.20 грн |
100+ | 14.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF9Z24NPBF за ціною від 16.43 грн до 49.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 596 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 26 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
IRFZ24NPBF Код товару: 4381
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 528 шт
485 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 15.00 грн |
10+ | 13.50 грн |
100+ | 12.20 грн |
1000+ | 10.90 грн |
Макетна плата 5x7 двостороння, зелена Код товару: 144388
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
у наявності: 223 шт
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Одеса
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 29.06.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
10+ | 14.40 грн |
100+ | 12.90 грн |
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 475 шт
313 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.30 грн |
100+ | 1.00 грн |
IRF9Z34NPBF Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 301 шт
247 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 26.00 грн |
10+ | 22.40 грн |
100+ | 19.90 грн |
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 48394 шт
33673 шт - склад
3652 шт - РАДІОМАГ-Київ
1345 шт - РАДІОМАГ-Львів
4911 шт - РАДІОМАГ-Харків
3988 шт - РАДІОМАГ-Одеса
825 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3652 шт - РАДІОМАГ-Київ
1345 шт - РАДІОМАГ-Львів
4911 шт - РАДІОМАГ-Харків
3988 шт - РАДІОМАГ-Одеса
825 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.70 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.40 грн |