Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9Z34NPBF
IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF

irf9z34npbf-datasheet.pdf
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
  • 200 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Ярослав2024-08-03 16:02:00

когда будет в Одессе?

Технічний опис IRF9Z34NPBF IR

  • MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:-55V
  • Current, Id Cont:17A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Current, Idm Pulse:68A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:56W
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Voltage Vds:55V
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF9Z34NPBF за ціною від 19.48 грн до 130.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.34 грн
2000+32.70 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.34 грн
2000+32.70 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.63 грн
336+42.19 грн
368+38.61 грн
500+32.23 грн
1000+27.92 грн
2000+26.40 грн
5000+26.12 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.77 грн
50+42.34 грн
100+38.74 грн
500+32.34 грн
1000+28.02 грн
2000+26.49 грн
5000+26.21 грн
10000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.93 грн
50+43.49 грн
100+39.39 грн
500+32.43 грн
1000+27.94 грн
2000+26.38 грн
5000+26.11 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.93 грн
326+43.49 грн
360+39.39 грн
500+32.43 грн
1000+27.94 грн
2000+26.38 грн
5000+26.11 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.92 грн
299+47.44 грн
335+42.43 грн
500+34.39 грн
1000+29.46 грн
2000+27.77 грн
5000+27.48 грн
10000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.55 грн
11+41.61 грн
25+36.14 грн
50+32.36 грн
100+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 41689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.84 грн
50+43.45 грн
100+38.63 грн
500+28.29 грн
1000+25.73 грн
2000+23.58 грн
5000+20.89 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.79 грн
16+52.06 грн
100+44.81 грн
500+33.36 грн
1000+27.37 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.34 грн
10+78.70 грн
100+45.39 грн
500+35.68 грн
1000+30.51 грн
2000+27.65 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+33.34 грн
2000+32.70 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+33.34 грн
2000+32.70 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
333+42.63 грн
336+42.19 грн
368+38.61 грн
500+32.23 грн
1000+27.92 грн
2000+26.40 грн
5000+26.12 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+42.77 грн
50+42.34 грн
100+38.74 грн
500+32.34 грн
1000+28.02 грн
2000+26.49 грн
5000+26.21 грн
10000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+43.93 грн
50+43.49 грн
100+39.39 грн
500+32.43 грн
1000+27.94 грн
2000+26.38 грн
5000+26.11 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
323+43.93 грн
326+43.49 грн
360+39.39 грн
500+32.43 грн
1000+27.94 грн
2000+26.38 грн
5000+26.11 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
296+47.92 грн
299+47.44 грн
335+42.43 грн
500+34.39 грн
1000+29.46 грн
2000+27.77 грн
5000+27.48 грн
10000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+61.55 грн
11+41.61 грн
25+36.14 грн
50+32.36 грн
100+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 41689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.84 грн
50+43.45 грн
100+38.63 грн
500+28.29 грн
1000+25.73 грн
2000+23.58 грн
5000+20.89 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+110.79 грн
16+52.06 грн
100+44.81 грн
500+33.36 грн
1000+27.37 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.34 грн
10+78.70 грн
100+45.39 грн
500+35.68 грн
1000+30.51 грн
2000+27.65 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
1 Додати до обраних Обраний товар
description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 351 шт
  • 299 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF
Код товару: 40284
1 Додати до обраних Обраний товар
irf9z24npbf-datasheet.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 12 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 130 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1555 шт
  • 1512 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF
Код товару: 22366
15 Додати до обраних Обраний товар
irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 1950 шт
  • 1850 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна
1+48.50 грн
10+43.60 грн
100+39.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1060G (TO-220AC, ON)
Код товару: 61842
1 Додати до обраних Обраний товар
mbr1060-d-datasheet.pdf
MBR1060G (TO-220AC, ON)
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 10 А
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 88 шт
  • 59 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+33.00 грн
10+29.70 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.