IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z34NPBF IR
- MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-55V
- Current, Id Cont:17A
- On State Resistance:0.1ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Current, Idm Pulse:68A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:56W
- Power Dissipation Pd:56W
- Voltage Vds:55V
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF9Z34NPBF за ціною від 25.44 грн до 148.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 38879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC |
на замовлення 23956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
на замовлення 6776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9Z34NPBF |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 4643 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 38.57 грн |
| 2000+ | 35.74 грн |
| 5000+ | 32.89 грн |
| 10000+ | 31.36 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 38.57 грн |
| 2000+ | 35.74 грн |
| 5000+ | 32.89 грн |
| 10000+ | 31.36 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 291+ | 48.56 грн |
| 294+ | 48.07 грн |
| 321+ | 44.00 грн |
| 500+ | 29.31 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 51.81 грн |
| 276+ | 51.29 грн |
| 306+ | 46.27 грн |
| 500+ | 29.55 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.72 грн |
| 11+ | 42.40 грн |
| 25+ | 36.83 грн |
| 50+ | 32.97 грн |
| 100+ | 29.98 грн |
| 250+ | 28.26 грн |
| 500+ | 26.81 грн |
| 1000+ | 25.44 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.23 грн |
| 16+ | 48.61 грн |
| 50+ | 48.12 грн |
| 100+ | 42.47 грн |
| 500+ | 27.17 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.79 грн |
| 15+ | 51.81 грн |
| 50+ | 51.29 грн |
| 100+ | 44.62 грн |
| 500+ | 27.36 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 113.53 грн |
| 13+ | 61.59 грн |
| 50+ | 60.98 грн |
| 100+ | 52.06 грн |
| 500+ | 30.34 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 113.53 грн |
| 230+ | 61.59 грн |
| 232+ | 60.98 грн |
| 262+ | 52.06 грн |
| 500+ | 30.34 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.89 грн |
| 10+ | 91.65 грн |
| 50+ | 69.16 грн |
| 100+ | 58.08 грн |
| 500+ | 46.12 грн |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 23956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFZ24NPBF Код товару: 4381
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 320 шт
- 271 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 39 шт
- 39 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
| IRF9Z24NPBF Код товару: 40284
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
- 122 шт - склад
- 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 16 шт
- 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
| MBR1060G (TO-220AC, ON) Код товару: 61842
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 60 В
Прямий струм (per leg) If, А: 10 А
Падіння напруги Vf, В: 0,8 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 60 В
Прямий струм (per leg) If, А: 10 А
Падіння напруги Vf, В: 0,8 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
у наявності: 13 шт
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33.00 грн |
| 10+ | 29.70 грн |
| 100+ | 25.90 грн |
| Радіатор 25х15х11мм L-KLS21-HS1510-25PMB 15х10х25 Код товару: 200447
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Кріплення та металеві вироби > Радіатори
Опис: Радіатор L25xW15xH11мм
Застосування: TO-220
Висота, мм: 25 мм
Ширина, мм: 15 мм
Глибина, мм: 11 мм
Кріплення та металеві вироби > Радіатори
Опис: Радіатор L25xW15xH11мм
Застосування: TO-220
Висота, мм: 25 мм
Ширина, мм: 15 мм
Глибина, мм: 11 мм
у наявності: 133 шт
- 92 шт - склад
- 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.60 грн |
| 100+ | 11.30 грн |
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 477 шт
- 422 шт - склад
- 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
- 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |











