IRF9Z34NPBF


irf9z34npbf-datasheet.pdf
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
  • 181 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Ярослав2024-08-03 16:02:00

коли буде в Одесі?

Технічний опис IRF9Z34NPBF IR

  • MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:-55V
  • Current, Id Cont:17A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Current, Idm Pulse:68A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:56W
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Voltage Vds:55V
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF9Z34NPBF за ціною від 24.68 грн до 144.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.74 грн
2000+35.90 грн
5000+33.04 грн
10000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.74 грн
2000+35.90 грн
5000+33.04 грн
10000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.31 грн
50+47.83 грн
100+43.78 грн
500+36.26 грн
1000+30.82 грн
2000+27.92 грн
5000+26.18 грн
10000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.42 грн
296+47.93 грн
323+43.89 грн
500+36.34 грн
1000+30.89 грн
2000+27.99 грн
5000+26.24 грн
10000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.04 грн
50+51.52 грн
100+46.48 грн
500+37.72 грн
1000+31.74 грн
2000+28.58 грн
5000+26.63 грн
10000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+52.04 грн
276+51.52 грн
306+46.48 грн
500+37.72 грн
1000+31.74 грн
2000+28.58 грн
5000+26.63 грн
10000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.37 грн
50+58.79 грн
100+52.04 грн
500+41.22 грн
1000+34.30 грн
2000+30.66 грн
5000+28.37 грн
10000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.85 грн
11+41.13 грн
25+35.73 грн
50+31.99 грн
100+29.08 грн
250+27.42 грн
500+26.01 грн
1000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+88.92 грн
50+67.10 грн
100+56.35 грн
500+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
425+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.74 грн
2000+35.90 грн
5000+33.04 грн
10000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.74 грн
2000+35.90 грн
5000+33.04 грн
10000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.31 грн
50+47.83 грн
100+43.78 грн
500+36.26 грн
1000+30.82 грн
2000+27.92 грн
5000+26.18 грн
10000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+48.42 грн
296+47.93 грн
323+43.89 грн
500+36.34 грн
1000+30.89 грн
2000+27.99 грн
5000+26.24 грн
10000+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.04 грн
50+51.52 грн
100+46.48 грн
500+37.72 грн
1000+31.74 грн
2000+28.58 грн
5000+26.63 грн
10000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+52.04 грн
276+51.52 грн
306+46.48 грн
500+37.72 грн
1000+31.74 грн
2000+28.58 грн
5000+26.63 грн
10000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.37 грн
50+58.79 грн
100+52.04 грн
500+41.22 грн
1000+34.30 грн
2000+30.66 грн
5000+28.37 грн
10000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.85 грн
11+41.13 грн
25+35.73 грн
50+31.99 грн
100+29.08 грн
250+27.42 грн
500+26.01 грн
1000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 38855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.45 грн
10+88.92 грн
50+67.10 грн
100+56.35 грн
500+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
1 Додати до обраних Обраний товар
description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,07 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 322 шт
  • 271 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 39 шт
  • 39 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF
Код товару: 40284
2 Додати до обраних Обраний товар
irf9z24npbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,175 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
у наявності: 177 шт
  • 122 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 16 шт
  • 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1060G (TO-220AC, ON)
Код товару: 61842
1 Додати до обраних Обраний товар
mbr1060-d-datasheet.pdf
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 60 В
Прямий струм (per leg) If, А: 10 А
Падіння напруги Vf, В: 0,8 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
у наявності: 34 шт
  • 5 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Радіатор 25х15х11мм L-KLS21-HS1510-25PMB 15х10х25
Код товару: 200447
7 Додати до обраних Обраний товар
L-KLS21-HS1510-25PMB.pdf
Виробник: KLS
Кріплення та металеві вироби > Радіатори
Опис: Радіатор L25xW15xH11мм
Застосування: TO-220
Висота, мм: 25 мм
Ширина, мм: 15 мм
Глибина, мм: 11 мм
у наявності: 210 шт
  • 164 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 06.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
2+14.00 грн
10+12.60 грн
100+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 500 шт
  • 431 шт - склад
  • 42 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.