Технічний опис IRFB4410PBF
- MOSFET, N, 100V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.01ohm
- Power Dissipation:250W
- Transistor Case Style:TO-220
- No. of Pins:3
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
- Case Style:TO-220
- Cont Current Id:96A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Power Dissipation Ptot:250W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation Pd:250W
- Pulse Current Idm:380A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Capacitance Ciss:5150pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Можливі заміни IRFB4410PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4410 Код товару: 211278
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 96 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120 Монтаж: THT |
у наявності: 62 шт
|
|
| IRFB4410 Код товару: 211278
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
- 50 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 78.00 грн |
Інші пропозиції IRFB4410PBF за ціною від 50.63 грн до 216.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 972 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFB4410PBF | International Rectifier |
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 198+ | 71.76 грн |
| 203+ | 69.90 грн |
| 500+ | 65.68 грн |
| 1000+ | 61.85 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 80.50 грн |
| 11+ | 71.21 грн |
| 100+ | 69.35 грн |
| 500+ | 62.83 грн |
| 1000+ | 56.82 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.78 грн |
| 10+ | 118.51 грн |
| 50+ | 77.33 грн |
| 100+ | 61.36 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.04 грн |
| 50+ | 86.90 грн |
| 100+ | 78.20 грн |
| 500+ | 59.09 грн |
| 1000+ | 54.49 грн |
| 2000+ | 50.63 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 205.29 грн |
| 10+ | 115.68 грн |
| 100+ | 91.24 грн |
| 500+ | 70.58 грн |
| 1000+ | 63.05 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.70 грн |
| 10+ | 138.12 грн |
| 100+ | 83.09 грн |
| 500+ | 69.06 грн |
| 1000+ | 64.24 грн |
| 2000+ | 60.68 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.41 грн |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1375 шт
- 1273 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 36 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 22 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-22R-Hitano) Код товару: 11070
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 6694
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 47 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 46 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 29.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.95 грн |
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1555 шт
- 1512 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |













