Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4410PBF
IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

irfs4410-datasheet.pdf
Код товару: 72936
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.00 грн
10+87.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4410PBF

  • MOSFET, N, 100V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:250W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:96A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:250W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:250W
  • Pulse Current Idm:380A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Capacitance Ciss:5150pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Можливі заміни IRFB4410PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4410 IRFB4410
Код товару: 211278
1 Додати до обраних Обраний товар
IR IRFB4410.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
  • 50 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410
Код товару: 211278
1 Додати до обраних Обраний товар
IRFB4410.pdf
IRFB4410
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
  • 50 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFB4410PBF за ціною від 62.33 грн до 256.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.63 грн
13+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.31 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.31 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 96A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.80 грн
10+98.20 грн
20+91.42 грн
50+83.80 грн
100+77.88 грн
200+72.80 грн
500+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 description Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.21 грн
10+122.05 грн
50+93.15 грн
100+78.68 грн
500+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.02 грн
10+138.82 грн
100+124.28 грн
500+97.45 грн
1000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.02 грн
102+138.82 грн
114+124.28 грн
500+97.45 грн
1000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 description MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF International Rectifier irfs4410pbf.pdf description N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+158.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.63 грн
13+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+127.01 грн
500+114.31 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+127.01 грн
500+114.31 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 96A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.80 грн
10+98.20 грн
20+91.42 грн
50+83.80 грн
100+77.88 грн
200+72.80 грн
500+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.21 грн
10+122.05 грн
50+93.15 грн
100+78.68 грн
500+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+256.02 грн
10+138.82 грн
100+124.28 грн
500+97.45 грн
1000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineonirfs4410datasheetv0101en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+256.02 грн
102+138.82 грн
114+124.28 грн
500+97.45 грн
1000+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+158.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
Код товару: 22707
2 Додати до обраних Обраний товар
PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 10 контактів, крок 2,54мм
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 10
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.90 грн
100+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano)
Код товару: 19438
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 2726 шт
  • 2726 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 17856
1 Додати до обраних Обраний товар
E5R_080319.pdf
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x5 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 4398 шт
  • 4078 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 441 шт
  • 388 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 25V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2389
Додати до обраних Обраний товар
EMR_080514.pdf
10uF 25V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 4x7 мм
Строк служби: 1000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 5854 шт
  • 5398 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 163 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 500 шт
  • 500 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.