Технічний опис IRFB4410PBF
- MOSFET, N, 100V, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.01ohm
- Power Dissipation:250W
- Transistor Case Style:TO-220
- No. of Pins:3
- Alternate Case Style:SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
- Case Style:TO-220
- Cont Current Id:96A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Power Dissipation Ptot:250W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
- Power Dissipation Pd:250W
- Pulse Current Idm:380A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Capacitance Ciss:5150pF
- Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Можливі заміни IRFB4410PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4410 Код товару: 211278
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 96 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120 Монтаж: THT |
у наявності: 62 шт
|
|
| IRFB4410 Код товару: 211278
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
- 50 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 78.00 грн |
Інші пропозиції IRFB4410PBF за ціною від 49.61 грн до 179.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB4410PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB4410PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC |
на замовлення 3692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFB4410PBF | International Rectifier |
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 71.13 грн |
| 203+ | 69.28 грн |
| 500+ | 65.09 грн |
| 1000+ | 61.30 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.78 грн |
| 11+ | 70.57 грн |
| 100+ | 68.74 грн |
| 500+ | 62.27 грн |
| 1000+ | 56.31 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 179.35 грн |
| 50+ | 85.15 грн |
| 100+ | 76.63 грн |
| 500+ | 57.90 грн |
| 1000+ | 53.40 грн |
| 2000+ | 49.61 грн |
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB4410PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.92 грн |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1130 шт
- 1028 шт - склад
- 44 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 21 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
- 50 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG) Код товару: 22707
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 10 контактів, крок 2,54мм
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 10
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 10 контактів, крок 2,54мм
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 10
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano) Код товару: 19438
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 2956 шт
- 2956 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 17856
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x5 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x5 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 5538 шт
- 5388 шт - склад
- 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 56 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 1500 шт
- 1464 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |















