Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB4410PBF
IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

irfs4410-datasheet.pdf
Код товару: 72936
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.00 грн
10+87.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB4410PBF

  • MOSFET, N, 100V, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:250W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ
  • Case Style:TO-220
  • Cont Current Id:96A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:250W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.01ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation Pd:250W
  • Pulse Current Idm:380A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Capacitance Ciss:5150pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:38ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Можливі заміни IRFB4410PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4410 IRFB4410
Код товару: 211278
2 Додати до обраних Обраний товар
IR IRFB4410.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 72 шт
  • 49 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410
Код товару: 211278
2 Додати до обраних Обраний товар
IRFB4410.pdf
IRFB4410
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 72 шт
  • 49 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFB4410PBF за ціною від 57.92 грн до 250.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+128.14 грн
500+115.33 грн
1000+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+128.14 грн
500+115.33 грн
1000+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.75 грн
10+103.16 грн
15+66.02 грн
40+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 description Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.69 грн
10+122.03 грн
50+93.14 грн
100+78.67 грн
500+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon_irfs4410pbf_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+212.45 грн
10+103.45 грн
100+81.18 грн
500+65.38 грн
1000+61.36 грн
5000+58.07 грн
10000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF International Rectifier irfs4410pbf.pdf description N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+159.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+128.14 грн
500+115.33 грн
1000+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+128.14 грн
500+115.33 грн
1000+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.75 грн
10+103.16 грн
15+66.02 грн
40+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.69 грн
10+122.03 грн
50+93.14 грн
100+78.67 грн
500+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon_irfs4410pbf_datasheet_en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.45 грн
10+103.45 грн
100+81.18 грн
500+65.38 грн
1000+61.36 грн
5000+58.07 грн
10000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+250.11 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
N-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+159.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
Код товару: 22707
2 Додати до обраних Обраний товар
PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)PBS-10 (гнізда на плату, 1х10, 2,54мм) (ZL262-10SG)
Виробник: Ninigi
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: гнізда однорядні на плату прямі, 10 контактів, крок 2,54мм
Штирі або гнізда: гніздо (розетка)
Крок: 2,54 мм
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 10
товару немає в наявності
очікується: 900 шт
  • 900 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+3.90 грн
100+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano)
Код товару: 19438
Додати до обраних Обраний товар
NPO.pdf
4,7nF 50V NP0 5% 0805 (0805N472J500N3 – Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 4,7 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 1626 шт
  • 1626 шт - склад
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.20 грн
100+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 17856
1 Додати до обраних Обраний товар
E5R_080319.pdf
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)100uF 25V E5R 8x5mm (E5R101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x5 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 4372 шт
  • 4061 шт - склад
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 46 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF
Код товару: 3289
2 Додати до обраних Обраний товар
f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 326 шт
  • 247 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 11 шт
  • 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 25V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2389
Додати до обраних Обраний товар
EMR_080514.pdf
10uF 25V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 4x7 мм
Строк служби: 1000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 5737 шт
  • 5378 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 136 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 123 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 500 шт
  • 500 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.70 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.