Інші пропозиції IRFB7437PBF за ціною від 38.68 грн до 146.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 222+ | 63.66 грн |
| 232+ | 60.95 грн |
| 500+ | 52.95 грн |
| 1000+ | 48.33 грн |
| 2000+ | 44.30 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 91.79 грн |
| 12+ | 63.67 грн |
| 100+ | 60.96 грн |
| 500+ | 51.07 грн |
| 1000+ | 44.76 грн |
| 2000+ | 42.54 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 383+ | 92.25 грн |
| 500+ | 83.03 грн |
| 1000+ | 76.57 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 126+ | 112.26 грн |
| 132+ | 107.23 грн |
| 250+ | 102.93 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.57 грн |
| 50+ | 68.00 грн |
| 100+ | 60.95 грн |
| 500+ | 45.57 грн |
| 1000+ | 41.82 грн |
| 2000+ | 38.68 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.86 грн |
| 10+ | 70.28 грн |
| 100+ | 54.57 грн |
| 500+ | 41.00 грн |
| 1000+ | 39.94 грн |





