Інші пропозиції IRFB7437PBF за ціною від 53.00 грн до 188.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFB7437PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFB7437PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 62.08 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 62.08 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 74.88 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 85.19 грн |
| 181+ | 78.20 грн |
| 500+ | 62.41 грн |
| 1000+ | 56.95 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 117.86 грн |
| 500+ | 106.08 грн |
| 1000+ | 97.83 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 117.86 грн |
| 500+ | 106.08 грн |
| 1000+ | 97.83 грн |
| 10000+ | 84.10 грн |
| 100000+ | 65.25 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.86 грн |
| 10+ | 85.62 грн |
| 100+ | 78.60 грн |
| 500+ | 60.49 грн |
| 1000+ | 53.00 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 158.96 грн |
| 10+ | 98.96 грн |
| 50+ | 82.19 грн |
| 100+ | 73.80 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 173.21 грн |
| 10+ | 92.64 грн |
| 100+ | 83.59 грн |
| 500+ | 61.92 грн |
| 1000+ | 53.85 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.12 грн |
| 10+ | 116.61 грн |
| 50+ | 88.85 грн |
| 100+ | 74.96 грн |
| 500+ | 60.20 грн |
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







