IRFB7437PBF Infineon Technologies
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 43.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB7437PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB7437PBF за ціною від 35.24 грн до 173.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7437PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB7437PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 873 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB7437PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFB7437PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 195 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 7330 @ 25; Qg, нКл = 225 @ 10; Rds = 2 @ 100 А, 10 В мОм; Ugs(th) = 3,9 @ 150 мкА В; Р, Вт = 230; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-220AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRFB7437PBF Код товару: 202363
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFB7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |