Продукція > VISHAY > IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

IRFB9N60APBF Vishay

91103.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 79.45 грн до 207.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+135.71 грн
3+ 123.06 грн
10+ 97.64 грн
28+ 91.8 грн
250+ 89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+137.34 грн
10+ 116.11 грн
100+ 103.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+147.2 грн
10+ 117.84 грн
100+ 101.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+147.9 грн
94+ 125.05 грн
106+ 111.08 грн
Мінімальне замовлення: 80
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+158.04 грн
93+ 126.53 грн
108+ 108.9 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.16 грн
10+ 140.5 грн
100+ 104.15 грн
250+ 101.48 грн
500+ 92.13 грн
1000+ 80.11 грн
5000+ 79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.15 грн
50+ 152.65 грн
100+ 125.59 грн
500+ 99.73 грн
1000+ 84.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+207.45 грн
10+ 145.29 грн
100+ 120.58 грн
500+ 107.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній