на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 65.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB9N60APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 82.34 грн до 312.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFB9N60A-PBF | IRFB9N60A-PBF Транзисторы |
на замовлення 104 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |