Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB9N60APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 71.55 грн до 406.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 829 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 4673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFB9N60APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFB9N60A-PBF | IRFB9N60A-PBF Транзисторы |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 79+ | 180.11 грн |
| 93+ | 153.42 грн |
| 100+ | 144.53 грн |
| 250+ | 131.87 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 198.23 грн |
| 10+ | 123.56 грн |
| 50+ | 106.75 грн |
| 100+ | 99.18 грн |
| 250+ | 90.78 грн |
| 500+ | 88.25 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.95 грн |
| 10+ | 128.48 грн |
| 100+ | 98.46 грн |
| 500+ | 85.89 грн |
| 1000+ | 81.70 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.74 грн |
| 50+ | 118.01 грн |
| 100+ | 106.78 грн |
| 500+ | 81.73 грн |
| 1000+ | 75.79 грн |
| 2000+ | 71.55 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 254.17 грн |
| 10+ | 165.38 грн |
| 100+ | 129.53 грн |
| 500+ | 100.61 грн |
| 1000+ | 79.60 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 406.78 грн |
| 70+ | 205.41 грн |
| 100+ | 185.85 грн |
| 500+ | 146.16 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 406.88 грн |
| 50+ | 205.45 грн |
| 100+ | 185.89 грн |
| 500+ | 146.20 грн |
| 1000+ | 125.53 грн |
| IRFB9N60APBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB9N60A-PBF |
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)