Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 91.50 грн до 340.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 696 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 5493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 271-280 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFB9N60A-PBF | IRFB9N60A-PBF Транзисторы |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.82 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 185.90 грн |
| 90+ | 162.76 грн |
| 103+ | 142.46 грн |
| 500+ | 131.87 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.69 грн |
| 10+ | 98.27 грн |
| 28+ | 93.19 грн |
| 500+ | 91.50 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 257.83 грн |
| 71+ | 207.35 грн |
| 100+ | 189.62 грн |
| 150+ | 173.64 грн |
| 250+ | 153.47 грн |
| 500+ | 137.98 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 286.63 грн |
| 10+ | 180.32 грн |
| 50+ | 139.17 грн |
| 100+ | 118.17 грн |
| 500+ | 96.37 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 271-280 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.55 грн |
| 10+ | 152.81 грн |
| 100+ | 120.12 грн |
| 500+ | 98.35 грн |
| 1000+ | 94.59 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 339.32 грн |
| 79+ | 186.22 грн |
| 80+ | 184.35 грн |
| 100+ | 155.54 грн |
| 500+ | 119.03 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 340.42 грн |
| 10+ | 186.82 грн |
| 50+ | 184.95 грн |
| 100+ | 156.05 грн |
| 500+ | 119.42 грн |
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB9N60APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFB9N60A-PBF |
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
З цим товаром купують
| ULN2003APG Код товару: 71849
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: DIP-16
Опис: Високовольтна сильнострумова збірка транзисторів Дарлінгтона
Монтаж: THT
Робоча температура, °С: -40...85°С
Вихідний струм: 500 мА
Вихідна напруга: 50 В
К-сть каналів: 7
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: DIP-16
Опис: Високовольтна сильнострумова збірка транзисторів Дарлінгтона
Монтаж: THT
Робоча температура, °С: -40...85°С
Вихідний струм: 500 мА
Вихідна напруга: 50 В
К-сть каналів: 7
у наявності: 204 шт
- 156 шт - склад
- 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 25 шт
- 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.50 грн |
| 10+ | 13.90 грн |
| 1.5KE350CA Код товару: 24780
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 350 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 300 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 350 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 300 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |










