Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFB9N60APBF

IRFB9N60APBF

91103.pdf
Код товару: 143119
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 87.86 грн до 262.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.36 грн
50+157.04 грн
100+137.45 грн
500+127.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.49 грн
90+157.15 грн
103+137.54 грн
500+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.35 грн
10+123.01 грн
50+106.27 грн
100+98.74 грн
250+90.37 грн
500+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.28 грн
75+189.67 грн
100+176.49 грн
250+156.22 грн
500+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.78 грн
10+165.46 грн
50+127.73 грн
100+108.46 грн
500+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+179.36 грн
50+157.04 грн
100+137.45 грн
500+127.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.49 грн
90+157.15 грн
103+137.54 грн
500+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+197.35 грн
10+123.01 грн
50+106.27 грн
100+98.74 грн
250+90.37 грн
500+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+221.28 грн
75+189.67 грн
100+176.49 грн
250+156.22 грн
500+141.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.78 грн
10+165.46 грн
50+127.73 грн
100+108.46 грн
500+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60A-PBF
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

ULN2003APG
Код товару: 71849
Додати до обраних Обраний товар
description uln2003apgdatasheet.pdf
ULN2003APG
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: DIP-16
Опис: Високовольтна сильнострумова збірка транзисторів Дарлінгтона
Монтаж: THT
Робоча температура, °С: -40...85°С
Вихідний струм: 500 мА
Вихідна напруга: 50 В
К-сть каналів: 7
у наявності: 360 шт
  • 304 шт - склад
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.50 грн
10+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE350CA
Код товару: 24780
Додати до обраних Обраний товар
1-5ke100ca.pdf
1.5KE350CA
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 350 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 300 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.