Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 71.10 грн до 399.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB9N60APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC |
на замовлення 829 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 4673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFB9N60A-PBF | IRFB9N60A-PBF Транзисторы |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFB9N60APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRFB9N60APBF |
TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| ULN2003APG Код товару: 71849
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: DIP-16
Опис: High voltage high current darlington transistor array
Монтаж: THT
Рабочая температура, °С: -40...85°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
Мікросхеми > Транзисторні збірки
Корпус: DIP-16
Опис: High voltage high current darlington transistor array
Монтаж: THT
Рабочая температура, °С: -40...85°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
у наявності: 98 шт
50 шт - склад
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.50 грн |
| 10+ | 13.90 грн |
| 1.5KE350CA Код товару: 24780
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 350 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 300 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 350 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 300 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
80 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30 шт
30 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |








