Продукція > VISHAY > IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

IRFB9N60APBF Vishay

91103.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.51 грн
50+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFB9N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFB9N60APBF за ціною від 73.07 грн до 249.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 170W
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.51 грн
10+86.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 170W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.81 грн
10+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFETs TO220 600V 9.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.10 грн
10+128.59 грн
100+96.04 грн
500+83.00 грн
1000+77.52 грн
2000+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.64 грн
50+119.13 грн
100+107.88 грн
500+82.73 грн
1000+76.78 грн
2000+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019267817-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.70 грн
10+162.46 грн
100+127.25 грн
500+98.84 грн
1000+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF
Код товару: 143119
Додати до обраних Обраний товар

91103.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Виробник : Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.