IRFBC20SPBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 50W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 50W
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.15 грн |
| 10+ | 44.12 грн |
| 21+ | 39.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC20SPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBC20SPBF за ціною від 44.28 грн до 206.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBC20SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 50W; D2PAK,TO263 Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 50W On-state resistance: 4.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC20SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFBC20SPBF |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRFBC20SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFBC20SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFBC20SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |