Технічний опис IRFBE30PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 66.94 грн до 333.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30PBF | VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 524 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFBE30PBF |
IRFBE30PBF Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBE30PBF- | VIS | 09+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 148.69 грн |
| 10+ | 101.25 грн |
| 50+ | 87.03 грн |
| 100+ | 80.33 грн |
| 250+ | 71.96 грн |
| 500+ | 66.94 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 152.37 грн |
| 50+ | 150.85 грн |
| 100+ | 121.89 грн |
| 500+ | 116.36 грн |
| 1000+ | 105.20 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 152.37 грн |
| 94+ | 150.85 грн |
| 116+ | 121.89 грн |
| 500+ | 116.36 грн |
| 1000+ | 105.20 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 161.63 грн |
| 50+ | 160.02 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 173.79 грн |
| 83+ | 172.05 грн |
| 107+ | 132.84 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 174.19 грн |
| 50+ | 172.45 грн |
| 100+ | 133.14 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 181.76 грн |
| 91+ | 155.42 грн |
| 100+ | 143.57 грн |
| 250+ | 124.47 грн |
| 500+ | 107.02 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 333.16 грн |
| 50+ | 165.38 грн |
| 100+ | 150.38 грн |
| 500+ | 116.45 грн |
| 1000+ | 108.53 грн |
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBE30PBF |
|
IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
| IRFBE30PBF- |
Виробник: VIS
09+ SOP8
09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)