на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE30PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 48.60 грн до 284.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFBE30PBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFBE30PBF |
IRFBE30PBF Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRFBE30PBF- | Виробник : VIS | 09+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |