IRFBE30PBF Vishay

IRFBE30PBF
Код товару: 15766
Виробник: Vishay
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT

91118.pdf
в наявності: 0 шт

Технічний опис IRFBE30PBF Vishay

Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 42.27 грн до 243.27 грн

IRFBE30PBF
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
91118.pdf
на замовлення 11 шт
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+ 48.6 грн
IRFBE30PBF
Виробник:
IRFBE30PBF
91118.pdf
на замовлення 8 шт
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Material: IRFBE30PBF THT N channel transistors
91118.pdf
на замовлення 1001 шт
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+ 83.37 грн
3+ 71.46 грн
10+ 60.93 грн
50+ 56.63 грн
250+ 53.04 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
91118-1768375.pdf
на замовлення 4727 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+ 243.27 грн
10+ 215.82 грн
25+ 177.24 грн
100+ 153.78 грн
IRFBE30PBF-
Виробник:

на замовлення 4000 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30PBF-
Виробник: VIS
09+ SOP8
на замовлення 2500 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 823 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+ 42.27 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 1550 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+ 98.53 грн
150+ 96.25 грн
500+ 93.98 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 819 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+ 98.53 грн
150+ 96.25 грн
500+ 93.98 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 823 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+ 119.89 грн
10+ 109.09 грн
100+ 91.76 грн
500+ 77.65 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 3100 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+ 149.32 грн
600+ 134.06 грн
1200+ 123.16 грн
1800+ 110.93 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
91118.pdf
на замовлення 3700 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+ 167.76 грн
10+ 145.6 грн
100+ 117.06 грн
500+ 90.26 грн
1000+ 77.37 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 1000 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+ 169.17 грн
10+ 147.2 грн
100+ 114.8 грн
500+ 92.75 грн
1000+ 74.4 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
VISH-S-A0013276654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
на замовлення 455 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+ 171.78 грн
10+ 154.97 грн
100+ 125 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
на замовлення 1000 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+ 195.2 грн
10+ 169.85 грн
100+ 132.46 грн
500+ 107.02 грн
1000+ 85.85 грн
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Material: IRFBE30PBF THT N channel transistors
91118.pdf
на замовлення 1001 шт
термін постачання 28-42 дні (днів)
19+ 78.95 грн
21+ 65.16 грн
24+ 57.7 грн
28+ 49.55 грн
41+ 46.84 грн

З цим товаром купують

MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 2897
MER_070523.pdf
MER 100nF 100V J(+/-5%), P=10mm; 5,5x10x13mm (MER104J2AB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 100 nF
Ном.напруга: 100 VDC
Точність: ±5% J
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 5,5x10x13 mm
Part Number: MER104J2AB
4449 шт - склад Київ
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
99 шт - РАДІОМАГ-Львів
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
34 шт - РАДІОМАГ-Одеса
57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+ 4.5 грн
10+ 4 грн
100+ 3.6 грн
1000+ 3.1 грн
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2568
EXR_080421.pdf
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Опис: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
1036 шт - склад Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
80 шт - очікується
1+ 15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 11.9 грн
1000+ 10.7 грн
6,8pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A6P8K-L515B)
Код товару: 2383
classi_tsl-datasheet.pdf
6,8pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A6P8K-L515B)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Дискові керамічні конденсатори
Ємність: 6,8 pF
Номін.напруга: 100 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±10% K
Габарити: D<=5mm
Part Number: TCH2A6P8K-L515B
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
295 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10+ 0.6 грн
100+ 0.5 грн
BC557B
Код товару: 1826
BC556,BC557.pdf
BC557B
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
120 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
44 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
110 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 251312 шт - ціна та термін постачання
3+ 2 грн
10+ 1 грн
100+ 0.9 грн
1N4007
Код товару: 1574
1N4001-1N4007.pdf
1N4007
Виробник: YJ/Microsemi
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
3836 шт - РАДІОМАГ-Львів
1143 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення 8143049 шт - ціна та термін постачання
5+ 1 грн
10+ 0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Можливі заміни
1N4007-DC
Код товару: 127801
Можливі заміни
1N4007
Код товару: 176822