Продукція > VISHAY > IRFBE30PBF
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay

91118.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.50 грн
50+71.77 грн
100+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 58.58 грн до 345.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.15 грн
50+156.57 грн
100+126.52 грн
500+120.77 грн
1000+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+158.15 грн
94+156.57 грн
116+126.52 грн
500+120.77 грн
1000+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.76 грн
50+166.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+180.39 грн
83+178.58 грн
107+137.88 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.80 грн
50+178.99 грн
100+138.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.04 грн
10+121.41 грн
16+61.98 грн
44+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+188.66 грн
91+161.32 грн
100+149.01 грн
250+129.19 грн
500+111.08 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 743 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+222.95 грн
10+151.41 грн
100+111.35 грн
500+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.97 грн
10+220.45 грн
50+171.97 грн
100+146.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF- VIS 09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+158.15 грн
50+156.57 грн
100+126.52 грн
500+120.77 грн
1000+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+158.15 грн
94+156.57 грн
116+126.52 грн
500+120.77 грн
1000+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+167.76 грн
50+166.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+180.39 грн
83+178.58 грн
107+137.88 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.80 грн
50+178.99 грн
100+138.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.04 грн
10+121.41 грн
16+61.98 грн
44+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+188.66 грн
91+161.32 грн
100+149.01 грн
250+129.19 грн
500+111.08 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 743 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.95 грн
10+151.41 грн
100+111.35 грн
500+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.97 грн
10+220.45 грн
50+171.97 грн
100+146.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF VISH-S-A0019267829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf
IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-
Виробник: VIS
09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.