
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 43.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE30PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 30.00 грн до 283.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 78nC |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 78nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF Код товару: 15766
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Uds,V: 800 V Idd,A: 3,1 A Rds(on), Ohm: 3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFBE30PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
IRFBE30PBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBE30PBF |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRFBE30PBF- | Виробник : VIS | 09+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |