IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Код товара: 15766
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT

91118.pdf
В наличии/под заказ

Техническое описание IRFBE30PBF

Цена IRFBE30PBF от 26.34 грн до 119.4 грн

IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Производитель: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
под заказ 415 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
8+ 26.34 грн
IRFBE30PBF
Производитель: VISHAY
N-CH 800V 4A 3000mOhm TO220-3
91118.pdf
под заказ 1550 шт
срок поставки 28-40 дня (дней)
50+ 29.4 грн
IRFBE30PBF
Производитель: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
91118.pdf
под заказ 11 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)
5+ 48.6 грн
IRFBE30PBF
Производитель: VISHAY
Material: IRFBE30PBF THT N channel transistors
91118.pdf
под заказ 446 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
1+ 56.29 грн
3+ 48.25 грн
10+ 41.14 грн
15+ 35.33 грн
41+ 33.39 грн
IRFBE30PBF
Производитель: VISH/IR

91118.pdf
под заказ 1215 шт
срок поставки 16-23 дня (дней)
7+ 65.24 грн
11+ 59.52 грн
50+ 51.28 грн
250+ 48.74 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Производитель: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
VISH_S_A0001305063_1-2567452.pdf
под заказ 716 шт
срок поставки 8-21 дня (дней)
1+ 111.3 грн
100+ 86.2 грн
250+ 66.44 грн
500+ 61.75 грн
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Производитель: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 3
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 125
Continuous Drain Current Id: 4.1
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 4
Drain Source Voltage Vds: 800
Transistor Case Style: TO-220AB
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
2244729.pdf
под заказ 2592 шт
срок поставки 10-18 дня (дней)
5+ 119.4 грн
10+ 96.98 грн
100+ 80.72 грн
500+ 63.5 грн
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30PBF
91118.pdf
под заказ 8 шт
срок поставки 2-3 дня (дней)
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
под заказ 65 шт
срок поставки 4-5 дня (дней)
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель:
IRFBE30 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF
Производитель: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91118.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBE30PBF-
Производитель: VIS
09+ SOP8
под заказ 2500 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
IRFBE30PBF-
Производитель:

под заказ 4000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

С этим товаром покупают

6,8pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A6P8K-L515B)
Код товара: 2383
classi_tsl-datasheet.pdf
6,8pF 100V NP0 K(+/-10%) D<=5mm (TCH2A6P8K-L515B)
Производитель: Hitano
Керамические выводные конденсаторы - Дисковые керамические конденсаторы
Ёмкость: 6,8 pF
Номин.напряж.: 100 V
ТКЕ: NP0
Точность: ±10% K
Габариты: D<=5mm
Part Number: TCH2A6P8K-L515B
34 шт - РАДИОМАГ-Киев
50 шт - РАДИОМАГ-Львов
8 шт - РАДИОМАГ-Харьков
8 шт - РАДИОМАГ-Одесса
515 шт - РАДИОМАГ-Днепр
10+ 0.5 грн
100+ 0.38 грн
BC557B
Код товара: 1826
BC556,BC557.pdf
BC557B
Производитель: NXP
Транзисторы - Биполярные PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 475
1546 шт - склад Киев
368 шт - РАДИОМАГ-Киев
40 шт - РАДИОМАГ-Львов
114 шт - РАДИОМАГ-Харьков
89 шт - РАДИОМАГ-Одесса
под заказ 156547 шт - цена и срок поставки
4+ 1.5 грн
10+ 0.9 грн
100+ 0.75 грн
Возможные замены
BC557C (NXP)
Код товара: 16000
1N4007 (DO-41, Yangjie)
Код товара: 1574
1N4001-1N4007.pdf
1N4007 (DO-41, Yangjie)
Производитель: YJ/Microsemi
Диоды, диодные мосты, стабилитроны - Диоды выпрямительные и импульсные
Корпус: DO-41
Uобр., V (RRM): 1000 V
Iвыпр., A (If): 1 A
Описание: Выпрямительный
Может заменить: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падение напряжения Vf: 1,1 V
35276 шт - склад Киев
488 шт - РАДИОМАГ-Киев
230 шт - РАДИОМАГ-Львов
214 шт - РАДИОМАГ-Харьков
347 шт - РАДИОМАГ-Одесса
5023 шт - РАДИОМАГ-Днепр
10+ 0.5 грн
20+ 0.44 грн
100+ 0.38 грн
1000+ 0.29 грн
10000+ 0.24 грн
Возможные замены
1N4007 (DO-41, Diotec)
Код товара: 127801
Возможные замены
1N4007
Код товара: 176822
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (электролитический конденсатор низкоимпедансный)
Код товара: 1443
EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (электролитический конденсатор низкоимпедансный)
Производитель: Hitano
Конденсаторы - Электролитические выводные конденсаторы
Ёмкость: 47 µF
Номин. напряж.: 63 V
Серия: EXR
Описание: низкоимпедансные
Темпер. диап.: -40...+105°C
Габариты: 8x12мм
Срок жизни: 3000 часов
10000 шт - ожидается 30.01.2022