Продукція > VISHAY > IRFBE30PBF
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay

91118.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 30.00 грн до 185.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+89.28 грн
50+87.03 грн
100+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.15 грн
131+93.41 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+114.12 грн
50+109.13 грн
100+99.93 грн
500+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+117.08 грн
107+114.64 грн
500+110.00 грн
2500+102.23 грн
5000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.55 грн
105+117.20 грн
114+107.32 грн
500+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.47 грн
10+81.23 грн
17+55.94 грн
45+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.73 грн
50+100.68 грн
100+96.90 грн
500+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF
Код товару: 15766
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay 91118.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A791B58EAA469&compId=IRFBE30PBF.pdf?ci_sign=9e31daeb66cf53a70c64fdae5f4451e7bfaacc88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 892 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.37 грн
10+101.23 грн
17+67.13 грн
45+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.52 грн
10+158.21 грн
25+105.20 грн
100+100.79 грн
500+96.37 грн
1000+80.19 грн
2000+69.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.69 грн
10+161.76 грн
100+113.89 грн
500+103.46 грн
1000+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER 91118.pdf N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF- Виробник : VIS 09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.