на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5ohm.
Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 38.78 грн до 117.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBG20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.86A On-state resistance: 11Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.86A On-state resistance: 11Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBF20PBF |
на замовлення 7676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5ohm |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=1000V; Id=1,4A; Pd=54W; Rds=11 Ohm |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG20PBF | IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay/IR |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |