Продукція > IRF > IRFBG20PBF
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF

irfbg20.pdf
Виробник:
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG20PBF

Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm.

Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 48.91 грн до 259.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay Semiconductors sihbg20.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.10 грн
10+108.61 грн
100+65.48 грн
500+55.26 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.95 грн
10+126.63 грн
100+92.92 грн
500+68.95 грн
1000+57.94 грн
5000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay Siliconix sihbg20.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.29 грн
50+126.20 грн
100+114.20 грн
500+87.42 грн
1000+81.07 грн
2000+75.74 грн
5000+70.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.10 грн
10+108.61 грн
100+65.48 грн
500+55.26 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+189.95 грн
10+126.63 грн
100+92.92 грн
500+68.95 грн
1000+57.94 грн
5000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+259.29 грн
50+126.20 грн
100+114.20 грн
500+87.42 грн
1000+81.07 грн
2000+75.74 грн
5000+70.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.