IRFBG20PBF
Виробник:
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20PBF
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 48.15 грн до 255.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.4A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5.6A |
на замовлення 936 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 10243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 6306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFBG20PBF |
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |