Продукція > IRF > IRFBG20PBF
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF

irfbg20.pdf
Виробник:
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG20PBF

Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm.

Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 61.09 грн до 255.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.12 грн
131+108.02 грн
132+106.94 грн
143+95.32 грн
500+76.94 грн
1000+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.17 грн
10+109.08 грн
25+107.98 грн
50+103.08 грн
100+88.23 грн
500+73.83 грн
1000+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY IRFBG20PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.97 грн
10+97.07 грн
25+92.05 грн
50+87.03 грн
100+78.66 грн
250+68.62 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay Siliconix sihbg20.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
50+124.47 грн
100+112.63 грн
500+86.22 грн
1000+79.96 грн
2000+74.70 грн
5000+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 10007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay Semiconductors sihbg20.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.12 грн
131+108.02 грн
132+106.94 грн
143+95.32 грн
500+76.94 грн
1000+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.17 грн
10+109.08 грн
25+107.98 грн
50+103.08 грн
100+88.23 грн
500+73.83 грн
1000+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.97 грн
10+97.07 грн
25+92.05 грн
50+87.03 грн
100+78.66 грн
250+68.62 грн
500+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.74 грн
50+124.47 грн
100+112.63 грн
500+86.22 грн
1000+79.96 грн
2000+74.70 грн
5000+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 10007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.