Продукція > IRFBG20PBF
IRFBG20PBF
Виробник:
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
4-5 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20PBF
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm.
Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 49.98 грн до 231.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBG20PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 5.6A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 824 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 5712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm |
на замовлення 9578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20PBF |
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 108.57 грн |
| 10+ | 92.34 грн |
| 19+ | 53.37 грн |
| 50+ | 49.98 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 113.02 грн |
| 131+ | 111.88 грн |
| 132+ | 110.76 грн |
| 143+ | 98.72 грн |
| 500+ | 79.68 грн |
| 1000+ | 65.73 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 118.41 грн |
| 125+ | 117.22 грн |
| 150+ | 97.56 грн |
| 500+ | 92.49 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 147.64 грн |
| 10+ | 118.41 грн |
| 50+ | 117.22 грн |
| 100+ | 94.07 грн |
| 500+ | 85.64 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 154.65 грн |
| 96+ | 153.10 грн |
| 121+ | 121.24 грн |
| 500+ | 114.02 грн |
| 1000+ | 104.52 грн |
| 2000+ | 91.88 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 157.30 грн |
| 94+ | 155.73 грн |
| 125+ | 117.07 грн |
| 500+ | 110.14 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 159.61 грн |
| 106+ | 139.14 грн |
| 113+ | 129.60 грн |
| 150+ | 119.71 грн |
| 250+ | 104.75 грн |
| 500+ | 92.37 грн |
| 750+ | 86.53 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 231.51 грн |
| 10+ | 157.80 грн |
| 50+ | 156.24 грн |
| 100+ | 113.25 грн |
| 500+ | 102.31 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBG20PBF |
|
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)