Продукція > VISHAY > IRFBG20PBF
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF Vishay

sihbg20.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 46.14 грн до 256.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.82 грн
10+61.25 грн
50+51.71 грн
100+49.32 грн
250+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihbg20.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
100+86.07 грн
500+67.66 грн
1000+58.88 грн
2000+54.53 грн
5000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A822F03E90469&compId=IRFBG20PBF.pdf?ci_sign=8be136446cb90275ddc9ea44e9ee42c66bd49710 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.58 грн
10+76.33 грн
50+62.05 грн
100+59.18 грн
250+55.37 грн
500+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+95.17 грн
132+94.22 грн
133+93.28 грн
144+83.14 грн
500+67.10 грн
1000+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+103.93 грн
10+102.89 грн
25+101.86 грн
50+97.25 грн
100+83.22 грн
500+69.64 грн
1000+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.18 грн
10+125.93 грн
100+85.33 грн
500+66.26 грн
1000+53.82 грн
5000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay Siliconix sihbg20.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 7583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.91 грн
50+124.88 грн
100+112.99 грн
500+86.50 грн
1000+80.22 грн
2000+75.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF Виробник : Vishay/IR sihbg20.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Виробник : Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.