IRFBG20PBF
Виробник:
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20PBF
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm.
Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 61.09 грн до 301.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.4A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 5.6A |
на замовлення 848 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 4839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IRFBG20PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm |
на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFBG20PBF |
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 109.12 грн |
| 131+ | 108.02 грн |
| 132+ | 106.94 грн |
| 143+ | 95.32 грн |
| 500+ | 76.94 грн |
| 1000+ | 63.46 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 131.00 грн |
| 50+ | 129.68 грн |
| 100+ | 102.70 грн |
| 500+ | 96.58 грн |
| 1000+ | 88.54 грн |
| 2000+ | 77.83 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 108+ | 131.00 грн |
| 109+ | 129.68 грн |
| 138+ | 102.70 грн |
| 500+ | 96.58 грн |
| 1000+ | 88.54 грн |
| 2000+ | 77.83 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 136.97 грн |
| 10+ | 97.07 грн |
| 25+ | 92.05 грн |
| 50+ | 87.03 грн |
| 100+ | 78.66 грн |
| 250+ | 68.62 грн |
| 500+ | 61.09 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 149.22 грн |
| 50+ | 147.72 грн |
| 100+ | 116.98 грн |
| 500+ | 110.02 грн |
| 1000+ | 100.85 грн |
| 2000+ | 88.65 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.31 грн |
| 96+ | 147.82 грн |
| 121+ | 117.06 грн |
| 500+ | 110.09 грн |
| 1000+ | 100.92 грн |
| 2000+ | 88.71 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 164.64 грн |
| 91+ | 155.42 грн |
| 101+ | 140.93 грн |
| 250+ | 118.12 грн |
| 500+ | 97.61 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.88 грн |
| 10+ | 191.66 грн |
| 50+ | 148.77 грн |
| 100+ | 126.67 грн |
| 500+ | 103.96 грн |
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFBG20PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBG20PBF |
|
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)