Продукція > IRF > IRFBG20PBF
IRFBG20PBF

IRFBG20PBF

irfbg20.pdf
Виробник:
Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG20PBF

Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm.

Інші пропозиції IRFBG20PBF за ціною від 61.93 грн до 306.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.37 грн
131+108.26 грн
132+107.18 грн
143+95.53 грн
500+77.11 грн
1000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.29 грн
50+129.97 грн
100+102.93 грн
500+96.80 грн
1000+88.73 грн
2000+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.29 грн
109+129.97 грн
138+102.93 грн
500+96.80 грн
1000+88.73 грн
2000+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY IRFBG20PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.88 грн
10+98.41 грн
25+93.32 грн
50+88.23 грн
100+79.75 грн
250+69.57 грн
500+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.55 грн
50+148.04 грн
100+117.24 грн
500+110.26 грн
1000+101.08 грн
2000+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.65 грн
96+148.15 грн
121+117.33 грн
500+110.33 грн
1000+101.14 грн
2000+88.91 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay sihbg20.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.01 грн
91+155.77 грн
101+141.25 грн
250+118.38 грн
500+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay Siliconix sihbg20.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.07 грн
10+194.33 грн
50+150.83 грн
100+128.42 грн
500+105.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Vishay Semiconductors sihbg20.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.37 грн
131+108.26 грн
132+107.18 грн
143+95.53 грн
500+77.11 грн
1000+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+131.29 грн
50+129.97 грн
100+102.93 грн
500+96.80 грн
1000+88.73 грн
2000+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+131.29 грн
109+129.97 грн
138+102.93 грн
500+96.80 грн
1000+88.73 грн
2000+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Mounting: THT
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.88 грн
10+98.41 грн
25+93.32 грн
50+88.23 грн
100+79.75 грн
250+69.57 грн
500+61.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.55 грн
50+148.04 грн
100+117.24 грн
500+110.26 грн
1000+101.08 грн
2000+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.65 грн
96+148.15 грн
121+117.33 грн
500+110.33 грн
1000+101.14 грн
2000+88.91 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.01 грн
91+155.77 грн
101+141.25 грн
250+118.38 грн
500+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.07 грн
10+194.33 грн
50+150.83 грн
100+128.42 грн
500+105.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF VISH-S-A0019268334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
IRFBG20PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.