у наявності 22 шт:
12 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:1.3A
- On State Resistance:11.5ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:1000V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:50W
- Power Dissipation Pd:50W
- Pulse Current Idm:5.2A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFBG20 за ціною від 35.80 грн до 35.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBG20 | Виробник : Vishay |
 N-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRFBG20 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFBG20 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRFBG20 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBF20PBF |
товару немає в наявності |