Назва: IRFBG20

код товару: 18614

DOWNLOAD sihbg20de3f3.pdf

Знайти технічну документацію (datasheet) у Google

Фото Назва Виробник Інформація В наявності/на замовлення Ціна
IRFBG20 IRFBG20
код товару: 18614
IR Категорія: Електронні компоненти та комплектуючі - Активні компоненти - Транзистори - Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 1,4 A
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
Монтаж: THT
IRFBG20 на замовлення 5000 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBG20 IR TO-220AB на замовлення 2000 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBG20 VISHAY IRFBG20 Tranz. IRFBG20 TO220 TIRFBG20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)
15+ 25.43 грн
IRFBG20 IRFBG20 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB; FET Type : MOSFET N-Channel, Metal Oxide; FET Feature : Standard; Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V (1kV); Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 1.4A (Tc); Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 840mA, 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 38nC @ 10V; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 500pF @ 25V; Power - Max : 54W; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Mounting Type : Through Hole; Package / Case : TO-220-3; Supplier Device Package : TO-220AB товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик

Технічний опис IRFBG20

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.3A
  • On State Resistance:11.5ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:1000V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:50W
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Pulse Current Idm:5.2A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Ціна IRFBG20

від 25.43 грн до 25.43 грн
Asers Shop ©