IRFP240PBF Siliconix

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT

Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 20A N-CH MOSFET

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)