IRFP3710PBF Infineon Technologies
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP3710PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFP3710PBF за ціною від 47.60 грн до 270.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 7391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP3710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 66.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP3710PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP3710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 66.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP3710PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 87; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25; Qg, нКл = 190; Rds = 0,025 @ 28 A, 10 B; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2...4 B; Pb-free; TO-247AC |
на замовлення 130 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRFP3710PBF Код товару: 54050
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/190 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
|
IRFP3710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |